20210126行业新闻汇总

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芯片供不应求,传联电、日月光等再次涨价

半导体涨价风持续扩大,据台湾媒体报道,晶圆代工厂联电、世界先进拟再次调高报价。据悉联电已通知12英寸客户,因产能太满,必须延长交期近一个月;下游封测厂日月光投控、京元电等也因芯片产出后对封测需求大增,产能同步吃紧,也有意涨价。

联电、世界先进、日月光投控、京元电都不对报价置评,仅强调现阶段客户需求非常强劲。据悉,联电、世界先进前一波涨价,主要针对今年首季生产的客户,相关涨价效益将反映在本季财报;以投片到产出约需三至四个月计算,此次农历年后再涨价,将在第2季财报看到效益。

供应链指出,去年开始,疫情催生宅经济大爆发,带动PC、平板、电视、游戏机等终端消费设备需求大增,加上5G应用渗透率扩大,尤其5G手机需要的半导体含量较4G手机高三、四成,部分芯片用量更是倍增,伴随多镜头趋势,导致电源管理IC、驱动IC、指纹识别芯片、图像传感器(CIS)等需求大开,这些芯片主要采8英寸晶圆生产,导致8英寸晶圆代工供不应求态势延续。

尽管部分芯片商考虑8英寸晶圆厂产能紧俏,将微控制器(MCU)、WiFi及蓝牙等芯片转至12英寸晶圆厂生产,但并未解决8英寸晶圆代工供应不足的状况,反而使得晶圆代工产能不足的问题延伸至12英寸晶圆代工,包括55纳米至22纳米产能都告急,市场大缺货。

 

日月光升级防疫措施:分流为主,产线不中断

据台媒报导,随着台湾地区疫情影响扩大,半导体封测大厂日月光投控升级防疫措施,以「分流为主,产线不中断」为原则,不仅禁止员工跨区出差,针对国外访客、供货商甚至空运货物等,均有相关因应措施。

日月光半导体在高雄、桃园中坜均有厂区,在1月上旬已开始强化防疫机制,包括不开放海外出差,高雄员工暂不到桃园以北出差、北部员工暂不出差到高雄厂,若有桃园以北行程则禁止驻厂。

 

2020年韩国从日本进口氟化氢4942吨,锐减75%

据韩媒报导,韩国2020年从日本进口的氟化氢金额约为938万美元,与上一年的3630万美元相比,下降了74.2%。日本在氟化氢进口总量中所占的份额从2019年的32.2%下降至12.8%。

另据韩国海关的进出口贸易统计,2020年韩国进口的日本氟化氢数量为4942吨,与2019年的19835吨相比,减少了75%。

业界分析称,在日本实施出口管制后,韩国通过加快本土氟化氢产业竞争力的增强,减少了对日本的依赖。事实上,Soulbrain通过增加高纯度氟氢酸液体的生产实施,为稳定供应链做出了贡献。SK材料也成功地量产了高纯度氟化氢气体产品。

 

供应持续紧缺,今年上半年利基型DRAM报价有望逐季上扬

据台媒报道,今年一季度随着DRAM市场供应持续紧缺,利基型DRAM产品报价延续去年四季度涨势,并在今年上半年有望逐季上扬。

当前,由于晶圆代工产能紧张,加上智能手机需求较为旺盛,CMOS图像传感器市场需求火爆。近期,有媒体报道,三星已经将位于韩国华城的第11条DRAM产线改建为CMOS制程,力图与索尼抢占市场份额。

此举一出,意味着全球DRAM供应或将“雪上加霜”,今年以来,利基型DRAM现货价持续上涨,涨幅进一步提高,甚至达到20%,在产能供不应求下,面对急单或非策略客户,价格可能会更高。

 

成本优势尽显,DRAM-less SSD由渠道市场向低端笔记本电脑市场渗透,并推动PCIe普及

新年伊始,盘点2020年主控厂商在产品上的重要进展,PCIe Gen4可谓妥妥的C位,吸睛满满。除此之外,不难发现,去年慧荣、群联、Marvell三大主控厂推出的新品还均包括了DRAM-less及DRAM-base两种方案。

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当然,DRAM-less主控产品早已在业内存在已久,并已经是渠道市场SSD的主流应用。尽管如此,业内人士依然表示,2021年对DRAM-less系列产品依然意义非凡,甚至可能迎来大爆发。

DRAM-less SSD由渠道市场向部分PC OEM市场低端机型渗透,成本优势是其杀手锏

2020年笔记本需求带动SSD销量增长,其中价位更加低廉的中低端市场是其成长驱动力

2020年新冠疫情蔓延下催生宅经济崛起,笔记本需求猛增。市调机构报告显示,2020年笔记本电脑出货量将达到1.957亿台,同比增长14.1%。其中,价格相对低廉的Chromebook销量实现了67%的同比最大增幅,达到2220万台。

另一方面,据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,2020年笔记本市场SSD的搭载率已经高达80%,且512GB SSD出货量大幅增加。这些数据纷纷显示,2020年笔记本作为存储产品主要出海口的重要性日益凸显,而受众更加广泛的、价位更加低廉的中低端市场是推动市场增长的重要驱动力。

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2021年DRAM市场供不应求为主旋律,存储厂商推动DRAM-less SSD在低端笔记本产品应用,成本有望降低10%以上

然而,对于存储厂商来讲,低端市场面临的首要难题即为获利。以目前市场主流容量128/256GB SSD(DRAM base)为例,闪存芯片占总成本约70%-75%,DRAM约占10%-15%,主控及其他配件占比约为10%-20%。在今年NAND Flash供过于求、DRAM供不应求的市况下,DRAM芯片成本占比有望进一步提高。

经过在渠道SSD产品上成功实践,仅作为平衡高速设备和低速设备之间的速度差异而存在、且价格较高的DRAM芯片可以通过主控芯片进行HMB(Host Memory Buffer)或其他软件技术进行替代。如此推断,若在部分笔记本市场客户中广泛应用DRAM-less SSD,存储厂商成本有望降低10%以上。

当然,由于存储产业链长且十分复杂,价格波动也十分剧烈,由DRAM-less降低的成本能否以利润的形式得以体现,影响因素也是十分复杂,还需具体情况具体分析。

业内人士预计,今年DRAM-less SSD产品将在低端笔记本市场扩大应用。

DRAM-less降低成本,推动PCIe SSD普及

尽管DRAM-less拥有更高的成本竞争力,且HMB技术经过几年的发展已经相对成熟,但是其寿命及读取性能依然不及DRAM-base SSD稳定,依然无法满足对性能、稳定性要求较高的高端笔记本电脑以及服务器企业级市场需求。

然而在部分对产品稳定性要求并不十分严苛的市场,DRAM-less的成本优势更加凸显,从而可以降低入门级PCIe SSD成本。

性能方面,从慧荣、群联、Marvell发布的几款DRAM-less主控芯片看,利用HMB功能实现的随机读速度与DRAM-base产品相差不大,甚至可以不相上下。

另一方面,由于PCIe接口自身的数据传输速率高,根据PCI-SIG发布的PCIe 4.0修订版每条通道数据传输速率大约为2 GB/s,远高于SATA III 600MB/s的接口传输速率。因此,在其他部件一致的前提下,即便DRAM-less SSD性能会有所损失,也是远高于SATA III接口产品。

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注明:该文章内容出自【中国闪存市场】

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