20210716行业新闻汇总

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台积电:明年产能供应续吃紧,4nm试产开始

台积电总裁魏哲家于法说会上表示,就目前来看,至少产能供应吃紧情况会持续到2022年。

魏哲家还指出,半导体当前的短缺来自供应链的不确定因素包含新冠疫情与政治因素,同时5G相关与高速运算支持之下。

魏哲家透露,台积电4nm试产会按进度本季开始,终端应用将包含智能手机与高速运算(HPC)。

另有分析师关注「签长约是否成为产业的新常态」?魏哲家表示,台积电不会评论单一客户商业型态,但台积电和客户都是紧密合作并依据长期需求趋势,确保高产能利用率将能持续。

 

美光超三星,其1α DRAM拥有业界最高存储密度!

在推动DRAM制程向1α节点演变中,美光在三家原厂中态度最为积极,并于今年6月开始批量出货1α级工艺LPDDR4x和DDR4;紧随其后的就是SK海力士,于今年7月开始量产第四代10nm(1α)级工艺的8Gb LPDDR4 移动端DRAM产品。然而,存储巨头三星却尚未发布关于1α制程产品的信息。

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随着美光和SK海力士迈入下一技术节点,三星的技术优势难免会被超越。据韩媒报道,美光最新产品拥有0.315Gb/mm²的存储密度,half pitch为14.3nm,超越了三星1z制程工艺0.299 Gb/mm²的存储密度,是当前业内存储密度最高的产品。

既然在量产时程被超越,报道称,三星计划在今年底之前量产1z制程DRAM,线宽仅为14nm,比美光的要小。

DRAM制程竞争激烈

除了在技术制程上竞争激烈之外,三家原厂在投资扩产方面也你争我抢。在DRAM领域,SK海力士M16工厂已于今年初竣工,首次引进了EUV光刻设备,并从今年下半年开始生产1α DRAM产品;美光A3厂区也如期完工,将投产1α制程产品。

投资方面,据韩媒报道,预计今年三星在内存方面的投资将达20兆韩元,SK海力士达14兆韩元,美光达100亿美元。出货量方面,预计今年三星内存出货量将增长27%,SK海力士将增长21%,美光将增长26%。

 

SEMI:今年全球半导体设备销售有望成长34%,明年突破1000亿美元

国际半导体产业协会SEMI日公布年中整体OEM半导体设备预测报告称,预估全球半导体制造设备销售总额今年将增长34%来到953亿美元;同时2022年设备市场可望突破1,000亿美元。

SEMI预期,以地区看,韩国、台湾和中国大陆仍稳坐2021年设备支出前三大,其中韩国凭借强劲的存储复苏及对逻辑和代工先进制程大幅投资位居榜首。

此外,SEMI估计2021年晶圆厂设备Wafer Fab Equipment(含晶圆加工、晶圆厂设施和光罩设备)大幅成长34%至817亿美元, 2022年可望再增长6%,市场规模逾860亿美元。

注明:该文章内容出自【中国闪存市场】

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