20191025行业新闻汇总

SK海力士Q3利润暴跌89%创三年来新低,计划明年减产同时大幅减少投资

SK海力士第三季度净利润创2016年第二季以来的新低纪录,三季度收入更是同比下滑40%。但公司表示手机与数据中心的需求在回升,并积极调整产线布局、优化产品结构、减产以及减少投资,以应对外部不确定性变化,恢复并保持业绩增长。

一、收入连续三季度下滑后上升,但利润仍同比暴跌89%

在收入连续三个季度环比下滑后, SK海力士2019年三季度营收环比上升6%达6.8兆韩元(约58亿美元),但同比仍下滑40%;在利润率方面,降幅均有不同程度的收敛,其中毛利率27%,较上季度减少4个百分点,营业利润率7%,较上季度减少3个百分点;净利润0.495兆韩元(约4.2亿美元),环比减少8%,同比减少89%。

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来源:SK海力士,中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

二、DRAM量升价减,NAND Flash量减价升

SK海力士表示随着需求回升和ASP跌幅趋缓,DRAM和NAND Flash收入均有增长,2019年第三季度整体收入环比增长6%。DRAM收入占77%,NAND Flash收入占20%。

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来源:SK海力士,中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

其中在新智能手机的推出和部分数据中心客户扩大采购的季节性需求回升的影响下,DRAM的Bit出货量环比增加23%;除手机外在其他应用的价格跌幅均趋缓,DRAM整体ASP环比减少16%。

与DRAM不同,NAND Flash呈现价升量减的表现。虽然高容量手机和SSD的价格弹性需求仍回升,但其他应用领域的销售在上季度已大幅增长,恢复正常水位,导致NAND Flash的Bit出货量环比下降1%;产品结构持续优化,使得NAND的ASP环比上升4%。

虽然价格仍在下跌,但由于来自中国的智能手机需求增加促使MCP的出货量增加,MCP整体收入环比减少2%。

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来源:SK海力士,中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

三、为减少不确定性引起的需求波动,SK海力士积极调整产线布局

SK海力士计划将M10 Fab的DRAM生产线中的一部分转换成CMOS产线,同时降低2D NAND Flash的产能。预计2020年DRAM和NAND Flash产量将较今年减少,同时也在考虑大幅减少明年的投资额。

四、SK海力士继续专注于技术升级和扩大高容量、高附加值产品的销售

SK海力士计划在今年年底前将产品组合中1Ynm DRAM的比例提高到10%,并为近期发布的1Znm DRAM产品的批量生产做准备。此外,公司积极拓展LPDDR5和HBM2E市场,预计明年将会被大规模采用。

对于NAND Flash,SK海力士计划在今年年底前将96层4D NAND产品的比例提高到10%以上,同时为128层4D NAND Flash的量产做准备。预计四季度SSD收入将占到NAND Flash收入的30%。

 

ARM是唯一非美国的主流计算架构,继续向中企授权

近日在ARM技术峰会北京站上, ARM中国董事长兼首席执行官吴雄昂表示,经过法务严谨调查,无论v8还是v9架构都是源自英国的技术,ARM会和过去一样持续向中国伙伴进行授权和服务支持。

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吴雄昂还表示,目前其在中国有超过200个合作伙伴,中国客户基于ARM技术的芯片累计出货量超过160亿颗,95%的国产SoC(系统级芯片)是基于ARM处理器技术。不仅如此,他还强调,ARM是唯一的非美国计算平台,而现在其他处理器架构都源自美国。

ARM中国是一家中方控股的合资公司,2018年4月开始正式运营。ARM是ARM中国的股东,也是最大的技术支持者。

吴雄昂表示,ARM中国承接ARM在中国的业务和技术,在ARM标准之下自主创新、赋能产能,把中国工程师能力调动起来打造知识产权。这些知识产权将不只是提供给中国产业,还要通过统一标准面向全球。

 

旺宏19nm SLC将大展拳脚,规划1923D NAND2年后量产

旺宏召开的法说上,公布第 3 季合并营收 119.06 亿元(新台币,同下),季增 59%,年增 19%,毛利率 30%,营益率 15%,税后纯益 18.53 亿元,每股纯益 1.01 元。展望第四季度,由于大客户任天堂改变出货策略,将原先预定 10 月的订单,提前在 9 月拉货,将使营收较第 3 季减少。 

不过,旺宏表示,由于第三季度适逢出货旺季,库存去化速度较快,第 3 季存货损失已大幅减少。随着存货持续去化,第 4 季对于旺宏而言也是传统旺季,存货损失估列应不会再大幅增加。

此外,目前NOR Flash 与 SLC NAND需求佳,并看好 NOR Flash 价格将持稳,SLC NAND 则估持稳或微幅跌价,旺宏看好NOR Flash 未来 1 至 2 年,在医疗与物联网领域的成长潜力。

旺宏19 奈米SLC NAND已于第 3 季末正式量产,目前月产能 1.2 万片,第一批产品已供货美国机顶盒大客户。旺宏19 奈米 SLC NAND 出货顺利,且客户反应佳,试样订单量增多,对明年出货非常有信心。至于 192 层 3D NAND则预计在2021 年底量产。

展望明年,受到美中贸易战等不确定性因素影响,对2020年展望难以预估,但旺宏的 19 奈米 SLC NAND将对市场带来一定的影响力,对营运会有相当大的贡献,短期应用主要为机顶盒等消费性市场,之后可望推展至车用信息娱乐系统等不同领域。

未来 1 至 2 年,随着医疗相关需求从系统化走向个人化,旺宏看好医疗领域将是成长幅度较大的市场,但销售前须经过美国 FDA 认证,还需时间酝酿,预期近 1、2 年的努力,明年将会逐步开花结果,除医疗外,在物联网领域也有很大的成长空间与潜力。

 

预计台积电年底开建3nm晶圆工厂

据台媒报道,台积电将于2019年底前在台湾南部科技园区(STSP)获得30公顷土地,预计将加快建设先进的3nm晶圆厂。

目前,台积电的12寸超大晶圆厂有六座,分别是总部及晶圆十二A厂、研发中心及十二B厂、晶圆十四厂、晶圆十五厂、晶圆十六厂(南京)和晶圆十八厂。

在7nm世代取得大捷后,台积电在上周的财报会议上表示,5nm的进度比7nm更顺利,产能也会提至新高。关于3nm的技术细节,台积电尚未披露。至少三星方面称,FinFET(鳍式场效晶体管,华人科学家、前台积电CTO胡正明教授发明)会在4nm LPE之后走到尽头。他们提出的新解决方案是GAA MCFET(多桥通道FET),且有3 GAAE(GAA Early)和3 GAAP(GAA Plus)两代。

 

2019年台湾地区半导体产业年微幅成长0.1

受国际贸易冲突影响,台湾工研院预估2019年台湾地区半导体产业年微幅成长0.1%。预期未来半导体应用领域将走出传统3C电子产品,迈向高成长动能的车用与工业用新应用领域。

根据工研院IEKConsulting预估,2019年台湾IC产业产值可达新台币26,214亿元,较2018年成长0.1%。其中IC设计业产值为新台币6,711亿元,较2018年成长4.6%;IC制造业为新台币1兆4,547亿元,较2018年衰退2.1%,其中晶圆代工为新台币1兆3,060亿元,较2018年成长1.6%,存储芯片与其他制造为新台币1,487亿元,较2018年衰退25.8%;IC封装业为新台币3,443亿元,较2018年衰退0.1%;IC测试业为新台币1,513亿元,较2018年成长1.9%。

AI和5G是先进制程的两大动能,但在2019年将处于酝酿的局面,预计2020年才可能有显着成长。

                                                   

                                                       注明:该文章内容出自【中国闪存市场】

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