20210910行业新闻汇总

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三星发动超2000亿美元投资计划,存储业务将有哪些规划?敬请关注三星高层CFMS2021重要演讲!



近日,三星宣布了新一轮三年投资计划,预计投资总额将达到240万亿韩元(2062亿美元),相较三年前180万亿韩元(1547亿美元)提高了33%。三星计划通过扩大投资和大胆并购来确保战略业务的领先地位。



三星此次投资计划覆盖面广泛,包括半导体、生物医药、5G/6G通信技术、人工智能等诸多领域。而存储业务作为三星主要的利润来源,无疑是三星发力的重点之一。



三星超两千亿美元投资加码,巩固行业领先地位,半导体是重点领域之一



在三星通告中,三星计划通过前端工艺开发以及抢先投资加强其在半导体领域的优势地位。



具体来讲,在存储业务中,三星计划通过投资进一步拉大与其他厂商的成本和技术差距,并积极投入下一代产品研发,包括14nm以下DRAM产品以及200层以上NAND产品。



在系统半导体领域,三星计划通过积极投资计划以及GAA新技术奠定基础,朝着全球第一目标推进。



在投资策略上,三星表示在存储领域将专注于应对中长期市场需求而非短期变化。在系统半导体领域,三星将积极落实现有投资计划。



近日外媒报道,三星电子大举投资一批中型公司,力图在韩国境内布建一个由设备厂与原料供应厂组成的芯片供应链网络,降低供应链风险。据悉,三星及其转投资公司自去年夏季以来,已在9家公司合计投资2.38亿美元,全都是在特定领域擅长的中型公司。



三星高层即将亮相CFMS2021,畅谈“数据海洋时代的创新中心”



今年二季度,由于部分终端设备容量升级以及数据中心企业对服务器投资增长和企业级客户需求强劲,存储产业处于供不应求的上升周期,产品销售量价齐升态势下,三星电子三年来首次超过英特尔,重新夺回芯片销量第一的宝座。



来到下半年,存储市场供需两侧又产生了新变化。在当前三星新一轮投资计划下,三星作为存储领域龙头又将如何看待市场发展,又将如何进行产业布局,无疑是业界关注的焦点。



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在即将于9月14日深圳市南山区华侨城洲际酒店召开的2021中国闪存市场峰会(CFMS2021)中,三星半导体数据中心平台、战略、业务和产品规划集团副总裁 Cheolmin Park朴喆民先生即将亮相并以《数据海洋时代的创新中心》为主题发表演讲,阐述三星在技术产品研发以及市场布局方面的新规划,敬请期待!



                                                                                                   注明:该文章内容出自【中国闪存市场】


20210914行业新闻汇总

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  7GB/s读速,12nm工艺,DRAM-less,英韧科技国产PCIe Gen4 SSD控制芯片登场



继2020年在全球范围内率先量产12纳米PCIe 4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236及IG5636(企业级)后, 英韧科技于2021年9月7日发布Rainier系列全新产品——12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX。



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RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口,支持4个NAND通道,每个通道最多8个CE片选通道,全面支持NVMe1.4协议。RainierQX还具有以下优势:



· 采用业界领先的技术,通过独立平层访问,以实现极致高速的读取访问,并在有限的芯片数量的情况下,有效提高4K随机读取性能高达1M IOPs以上;



· 顺序读取性能超过7GB/s,顺序写入性能超过6GB/s;



· 专有ECC解决方案采用先进的4K LDPC技术,为最新的TLC和QLC提供卓越的纠错能力,并提供功耗感知多级解码策略;



· 超大SSD容量高达4TB。



值得一提的是,RainierQX具有增强的12纳米FinFET设计的无DRAM架构,英韧科技董事长兼首席执行官吴子宁博士表示:“在DRAM成本增加,PC OEM和渠道市场面临巨大成本压力的市场环境下, RainierQX将成为目前无DRAM控制器的最佳解决方案。



RainierQX在提供低功耗、实现更低BOM成本的同时,因采用业界最快的2400MT/s NAND通道接口和专有数据路径加速器,仍可以提供与DRAM解决方案相同的峰值性能,这使得该方案明显优于同类产品中的其他解决方案。”



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