20200702行业新闻汇总

每日新闻sunny 发表了文章 • 0 个评论 • 52 次浏览 • 2020-07-02 09:24 • 来自相关话题


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美国延长香港出口豁免许可,部分商品828日前可继续出货



美国商务部当地时间30日宣布,将依据现有的出口许可证豁免规定,允许在 8 月 28 日之前继续把部分产品出口至香港。



美国商务部长罗斯周一宣布撤销对香港的特殊经贸待遇,包过提供出口许可证豁免在内。



不过商务部周二表示,对香港部分出口豁免许可以延长。未来须取得许可证才能出口至香港,但在 6 月 30 日之前,已在码头等待装运或运送途中的货物,可继续运至目的地。



根据商务部的说法,此举是为了因应中国实施港版国安法。为反制中国,美国国务卿庞培奥上周五 (26 日) 对涉港事务的前任和现任中国官员实施签证限制,并在周一 (29 日) 宣布即日起停止出口国防设备和军民两用技术至香港,比照同样产品出口至中国的作法。



 



英特尔已停止向浪潮供货,预估临时性暂停两周供货!



据美国监管条例方面称,美国国防部将一系列公司和组织,其中包括浪潮集团,按照美国《出口管理条例》(EAR)中刚修改的军事最终用户及最终用途(MEU)规定,某些出口交易需要出口许可证,申领后才可以出口至属于军事最终用户、支持军事最终用户或将英特尔产品用于军事最终用户的实体组织,6月29日生效。



英特尔产品出口至浪潮已于6月29日子夜11:59暂停,除非获得了所需的授权;或者美国商务部认定浪潮电子信息产业有限公司及或浪潮集团不受制于该要求;或者英特尔认为产品不受制于EAR,否则禁令不得恢复。



对此,英特尔方面回应称,英特尔需要根据美国相关法律对我们的供应链做出一些相应的调整,因而不得不临时性暂停对此客户的供货。预计这次临时性暂停预计两周以内,届时英特尔将恢复对客户的供货。



浪潮是IT基础架构技术、产品、方案和服务供应商,业务涵盖了X86服务器、存储、数据库以及AI加速器、AI管理软件等,客户包括阿里云、百度云等,2019年营收516.53亿元,净利润9.29亿元。市场数据显示,浪潮占中国服务器37.6%的市场份额,位居第一,在全球市场以9.6%的份额位居第三。



英特尔则是浪潮第一大供应商,据采购列表显示,2018年浪潮向英特尔采购额达145.76亿元,占比 31.51%,2019年采购额进一步提升至178.96亿元,占比 37.53%。英伟达是浪潮第二大供应商,浪潮在2019年的采购额达37.22 亿元,占比 7.8%。



7月1日,浪潮信息盘中一度跌停,截止至14:33:51,股价37.33元,跌幅4.72%。



另外,中科曙光有关人士称,英特尔为公司供货商,但缘于公司去年6月已被美国商务部列入“实体名单”,目前评估影响有限,“公司正在通过自主研发以及国产替代方式改善自己的供应链”。



 



谷歌美国办公室预计关闭至97日,苹果关闭多家零售店



据Thomson Reuters报导,Alphabet Inc旗下谷歌6月30日晚间表示,由于某些州的新型冠状病毒新增病例数激增,美国办公室的重新开放时间将推迟大约两个月。谷歌发言人Katherine Williams表示,谷歌所有美国办公室至少将关闭至9月7日,并证实了彭博社引用谷歌高级主管发给员工的内部备忘录内容。



谷歌全球安全副总裁Chris Rackow在备忘录中说,对于所有在家工作的员工,除非直属经理另有通知、否则将继续在家上班,这项指引预计最快在9月7日才会做出调整。Rackow补充说,最近美国冠状病毒新增病例的上升显示,COVID-19仍然非常活跃。Reuters周二分析显示,6月份美国14个州(包括加州、佛罗里达州和德州)的冠状病毒病例增加一倍以上。



美国食品药品监督管理局(FDA)前局长Scott Gottlieb 6月28日接受NBC「Meet the Press」节目专访时表示,纽约州在实施居家令的2-3周后、新增病例才开始缓慢下滑,目前一些州所实施的措施远不如居家令那么严格,因此需要耗费更多时间才能让疫情获得控制。



另据Apple Insider报导,截至周二为止苹果(Apple Inc.)位于佛州、德州、亚利桑那州、北卡罗莱纳州、南卡罗莱纳州、密西西比州以及犹他州等多处零售店因COVID-19新增确诊病例暴增而再度关闭。



根据Covid Tracking Project的统计,过去7天亚利桑那州、佛州、密西西比州、德州、南卡罗莱纳州、犹他州的COVID-19阳性检测率(确诊率)平均值分别为24.43%、15.62%、14.14%、14.11%、13.67%、10.86%。



 



中国外交部回应:将敦促美方停止泛化国家安全概念



美国联邦通信委员会当地时间6月30日正式裁定,将中国华为和中兴通讯列为“美国国家安全威胁”对象,禁止电信运营商使用政府资金向这两家中企进行采购。



对此,中国外交部发言人赵立坚在7月1日举行的外交部例行记者会上表示,中方多次就此事表明立场,美方惯于在拿不出任何证据的情况下,以莫须有的罪名,滥用国家力量打压特定国家和特定企业。美方这种经济霸凌行径是公然对美方自己一贯标榜的市场经济原则的否定。



赵立坚称,禁止美国运营商购买华为和中兴设备,并不能真正改善美国网络安全的状况,反而会为美国农村和欠发达地区的网络服务产生严重的影响。



赵立坚表示,我们再次敦促美方停止泛化国家安全概念,停止对中国的蓄意抹黑,停止对中国企业的无理打压,为中国企业在美国正常经营提供公平公正非歧视的环境。



 



默克在韩开设半导体材料研发中心,韩国加速重组供应链



据韩媒报导,德国化工公司默克6月30日宣布在其先进技术中心(K-ATeC)在松潭工业园区的盛大开业,未来将专注于研发下一代半导体材料。这是跨国半导体相关公司进入韩国市场的又一案例。全球三大半导体设备制造商之一的LAM Research 2019年曾宣布将在韩国建立研发中心。



据悉,默克公司向K-ATeC投资了2920万美元(350亿韩元),以支持化学机械抛光(CMP)浆料和CMP后清洁的研发。CMP浆料用于使半导体晶片的表面平滑和平坦化。



K-ATeC高五层,占地3240平方米,由一个供客户评估的采样实验室,一个设计和分析CMP材料的研究实验室以及一个配备有先进设备(例如300mm CMP晶圆抛光系统和晶圆缺陷检查设备)的无尘室组成。



默克公司是一家拥有352年历史的跨国化工公司,年销售额超过467亿美元(56万亿韩元)。其近期收购了Versum Materials和Intermolecular,这些收购是默克公司发展其半导体材料业务计划的一部分。K-ATeC是默克计划的延伸。



这项投资表明,韩国在全球半导体行业中的地位正在发生变化。在K-ATeC开幕之前,LAM Research决定在京畿道建设一个研发中心。另一家总部位于日本的跨国半导体设备制造商TEL今年年初完成了在平泽市建立大型客户支持中心的工作。



自去年日本对韩国实施贸易限制以来,这些跨国公司的投资一直在加速增长。总部位于美国的跨国化学公司杜邦公司还决定在天安市建设EUV(极端紫外线)光刻胶厂。



当日本突然施加贸易限制时,韩国的半导体产业处于危险之中。但是,这些限制实际上导致了以三星电子和SK海力士为中心的半导体产业供应链的重组,并增强了行业生态系统。与该行业有着共同利益的跨国半导体公司开始相继进入韩国市场,外国半导体公司在韩国市场的投资正在加速增长,并将韩国推向了全球半导体工业的重要位置。



 



 



 



注明:该文章内容出自【中国闪存市场】


20200701行业新闻汇总

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TCL电子拟收购TCL通讯100% 股份



TCL电子昨日晚间消息,以15亿元(人民币,下同)向控股股东TCL实业收购TCL通讯全部股权。同时,该公司以25亿元向TCL实业出售茂佳国际全部股权,茂佳目前从事电视机代工(ODM)业务生产业务。



上述交易套现净额10亿元,并且录得19.79亿港元额外收益,该公司旗下《TCL》品牌电视机将会结合TCL通讯,全面拓展5G人工智能+物联网业务。出售事项与收购事项各自互为条件,最终控股股东TCL控股、TCL实业及该公司订立不竞争契据。



出售事项与收购事项各自互为条件。于完成后,TCL通讯将为公司全资附属公司,茂佳国际将不再为公司附属公司。



根据公布,该公司向母公司收购TCL 通讯,TCL 通讯原于港交所上市公司,股份代号2618,产销《TCL》和《Alcatel》两个品牌之手机和平板电脑,惟于2016年10月由母公司斥资35.1亿港元私有化。是次回购作价15亿元,按其2019年盈利1.7886亿港元计算,收购价往绩市盈率为9.23倍。而向母公司出售旗下电视机代工业务的交易作价25亿元(约27.5亿港元),按2019年盈利3.2099亿元计算,出售价相等于往绩市盈率7.79倍。



TCL电子表示,进行业务革新将有助进一步发挥产业协同的优势;通过分离自主品牌和代工业务,有利于提升管理效率,避免与代工客户产生直接的竞争关系。未来将聚焦品牌产品业务,将打造“全场景智慧生活”,聚焦《TCL》全球品牌,拓展智能电视和智能手机结合,形成5G人工智能+物联网。



 



连续第四个月下滑!日本5月工业产出环比下滑8.4%



日本经济产业省周二发布的数据显示,5月工业产出环比下降8.4%,连续第四个月下滑,反映了新冠病毒疫情对工厂活动的持续损害。



日本经济贸易产业省调查的制造商预计,6月工业产出将增长5.7%,7月将增长2.5%。



 



盈利超3亿元人民币!兆易创新:已出售全部中芯国际H股股票



兆易创新今日发布公告称,为优化公司资产结构,减少账面金融资产比重,公司境外全资子公司芯技佳易自2020年2月起陆续择机出售所持中芯国际H股股票。截至目前,芯技佳易已出售所持全部中芯国际H股股票,总交易金额折合人民币约7.76亿元。



根据公告得知,芯技佳易在2017年12月以每股10.65港元价格认购中芯国际50,003,371股,总成本约为5.3亿港币(约合4.4亿人民币)。按照出售时总交易金额7.76亿元人民币计算,兆易创新预计盈利3.3亿元人民币。



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根据《企业会计准则》相关新金融工具准则等有关规定,兆易创新将所持中芯国际股票指定为以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的金融资产,采用“其他权益工具投资”科目核算。本次出售股票交易,不影响公司当期利润及期后利润。



https://chinaflashmarket.com/Uploads/image/2020/06/29/200629173847.jpg



中芯国际近期受市场资金追捧,股价连续攀升,本月累计涨幅超60%。今日盘初高见28.85港元,再度刷新历史新高,随后股价高位回吐逾6%,截至今日收盘,跌6.99%,报26.6港元,成交额54.91亿港元。



 



日本出口管制,既限制了日企发展,也在鞭策韩企提前原料国产化



据韩联社报道,6月29日,韩国表示,日本对韩采取报复性出口措施已满1年,但韩国未因此发生过一起生产损失,反而让韩国提前实现了原料和零件的国产化。



去年7月份开始,日本宣布加强对日本出口的法规,禁止用于半导体显示器的三种类型的氟聚酰亚胺、光刻胶和高纯氟化氢。在过去的1年时间里,韩国致力于提高本土企业原材料的生产与研发,以及寻找替代方案,促进形成稳定的供应链。



氟聚酰亚胺是PI膜的一种,用于OLED显示、折叠显示屏、半导体封装等工艺。据悉韩国企业Kolon Industries于2018年在庆北龟尾建立的聚酰亚胺工厂,经过原型生产和样品送样后,目前已经开始批量生产。



在光刻胶方面,韩国Dongjin Semichem已确认扩大其光刻胶工厂,该工程于今年第一季度动工,按计划竣工后2021年初正常启动,光刻胶产量将比目前提升两倍以上。美国化学材料企业杜邦也计划在韩国投资2800万美金建造EUV 曝光制程光刻胶工厂。



在半导体制造环节,高纯度氟化氢气体是从硅片上去除异物的关键,而日本公司的市场地位类似于垄断。不过,SK Materials去年年底就已成功开发出基于三氟化氮(NF3)技术的气态氟化氢原型,并于日前宣布开始批量生产超高纯度(99.999%)氟化氢(HF)气体,目标是到2023年将本地化率提高到70%。



反观日本企业,业绩则受到了影响。截止到2020年3月的2019年财报中,聚酰亚胺厂商住友化学营业利润1375亿日元,较上年同期减少24.8%,光刻胶厂商JSR营业利润为329亿日元,与上一年相比下降23.6%,氟化氢公司Stella Chemifa营业利润24.07亿日元,同比年减31.7%。



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截止到目前,日韩双方贸易限制的关系一直持续僵持中,对于韩国以日本对韩加强半导体材料出口管制的做法不当为由,要求设置在世界贸易组织(WTO)争端解决机构(DSB)中相当于“一审”的专家组一事,日本在近日的DSB会议上没有同意设置专家组,予以拒绝。



与此同时,美国在DSB会议上也表示,日本的措施基于安保方面忧虑,WTO作出裁定并不恰当,似乎潜在的支持了日本的立场。



由于紧张的关系一直无法得到缓解,据韩国贸易协会(KITA)分析人士表示,日本或加强对韩出口管制。韩国贸易协会研究员Hong Ji-sang也进一步表示,韩国有能力避免受影响商品被扰乱,并在此基础上发展出自己的技术,丰富供应链。



 



SK海力士与3家韩国公司签署合作协议,加强本土化芯片制造生态系统



自2017年以来,SK海力士一直在选择具有创新能力的公司,并为他们提供技术和财务支持。日前,SK海力士宣布将在未来两年内支持三家新的合作伙伴公司并共同开发产品。



SK海力士表示,已选择Semics,LKN和Evertech Enterprise作为新的合作伙伴,并已在京畿道利川市总部签署了协议。



https://chinaflashmarket.com/Uploads/image/2020/06/30/2(1).jpg



SK海力士首席执行官Lee Seok-hee说:“尽管在COVID-19爆发期间我们一直面临困难,但我们将继续努力提高竞争力,并加强国内芯片制造生态系统。”



Semics是晶圆测试设备供应商,而LKN生产的零件可帮助将晶圆固定在半导体设备中。Evertech提供助焊剂,这是一种用于后处理芯片的材料。



SK海力士将与这三家公司共同开发芯片,并允许他们在其制造工厂测试已开发的产品。此外,还将提供免费贷款,用于相关技术的开发和管理咨询。



 



KioxiaLITE-ON SSD业务收购案将于71日完成



Kioxia正式宣布,将于2020年7月1日完成对LITE-ON固态硬盘(SSD)业务、固态存储技术公司及其附属公司的收购。Kioxia计划维持固态存储技术公司现有品牌的业务。



铠侠公司于2019年8月30日就收购事宜签订了股份购买协议。双方现在正在进行必要的规章和流程,以便在2020年7月1日完成交易。此次收购将使Kioxia显著加强其SSD业务,并有助于满足全球不断增长的市场需求。



LITE-ON董事会已通过以股权出售方式,将其辖下子公司建兴存储科技与Solid State Storage Technology USA Corporation的100%股权,以及CNEX Labs Inc.的0.4%股权,售予股权买卖合约签约人Kioxia Holdings Corporation,本股权交易价格为现金1.65亿美元。



Kioxia总裁兼首席执行官Nobuo Hayasaka表示:“Kioxia正在加速专注于固态硬盘业务,尤其是在不断增长的云计算领域。对我们来说,这是一次令人兴奋的收购。固态存储技术公司(Solid State Storage Technology Corporation)的卓越表现,加上我们领先的闪存和固态硬盘技术,将带来显著的协同效应,使我们能够进一步为客户提供增值的解决方案。



同时,也是为Kioxia提升其在全球SSD市场的领先地位铺平道路,并为AI、5G、IoT和云数据中心驱动的新型ICT基础设施的发展做出贡献。



 



 



注明:该文章内容出自【中国闪存市场】


SSD固态硬组成一

SSDtestssd 发表了文章 • 0 个评论 • 39 次浏览 • 2020-06-30 12:40 • 来自相关话题

SSD 的关键部件由控制器和存储单元两部分组成。除此之外,还有缓存和主机接口。 控制器 每个 SSD 都有一个控制器(controller)将存储单元连接到电脑。控制器是 ...查看全部

SSD 的关键部件由控制器和存储单元两部分组成。除此之外,还有缓存和主机接口。



控制器



每个 SSD 都有一个控制器(controller)将存储单元连接到电脑。控制器是一个执行固件(firmware)代码的嵌入式处理器。主要功能如下:




  • 错误检查和纠正(ECC)

  • 磨损平衡(Wear leveling)

  • 坏块映射(Bad block mapping)

  • read disturb(读取某个块的数据的时候会影响到相邻块的数据)管理

  • 缓存控制

  • 垃圾回收

  • 加密



很显然,控制器是 SSD 的大脑,而固件的好坏则代表其智商的高低。



存储单元



尽管有某些厂商推出了基于更高速的 DRAM 内存的产品,但 NAND 闪存依然最常见,占据着绝对主导地位。低端产品一般采用 MLC(multi-level cell) 甚至 TLC(Triple Level Cell) 闪存,其特点是容量大、速度慢、可靠性低、存取次数低、价格也低。高端产品一般采用 SLC(single-level cell) 闪存,其特点是技术成熟、容量小、速度快、可靠性高、存取次数高、价格也高。但是事实上,取决于不同产品的内部架构设计,速度和可靠性的差别也可以通过各种技术加以弥补甚至反转。



缓存



基于 NAND 闪存的 SSD 通常带有一个基于 DRAM 的缓存,其作用与普通的机械式硬盘类似,但是还会存储一些诸如 Wear leveling 数据之类的其他数据。把数据先缓存在 DRAM 中,然后集中写入,从而减少写入次数。特例之一是 SandForce 生产的控制器,它并不含有缓存,但是性能依旧很出色,由于其结构简单,故而可以生产体积更小的 SSD,并且掉电时数据更安全。



主机接口



主机接口与控制器紧密相关,但是通常与传统的机械式硬盘相差不大,主要有以下几种:




  • SATA

  • SAS

  • PCI-E

  • Fibre Channel

  • USB



主机接口的速度限制了 SSD 所能达到的速度峰值。但是一般这并不是瓶颈所在。



性能下降与寿命问题



SSD 的性能大致上可以用并行工作的 NAND 闪存芯片数(也称为通道数,目前主流的固态硬盘拥有8~16通道)来衡量。一个单独的 NAND 芯片很慢,但是当多个芯片并行工作时,性能就会得到巨大的提升,其原理类似于 RAID0,买块 SSD 就等于是买了块"阵列卡+盘"。看上去很美是不是?



在2010年由著名的 Xssist 网站使用 IOmeter 对 Intel X25-E 64GB G1 进行的一项测试中,以 4KB 随机 70%读 + 30%写、队列深度为4,进行持续测试。开始的时候可以达到 10,000 IOPS ,但是性能很快便急速下降,8分钟之后就只剩下 4,000 IOPS 了,而50分钟之后,就稳定在 3,500 IOPS 左右摇摆了。



除了这种短时间可发现的急速性能下降之外,还存在着随时间推移,性能缓慢下降的问题(主要是存储单元老化和损坏所致)。



能否有效的处理性能下降问题不但关系到 SSD 的长期运行的实际性能,而且关系到其寿命(SSD 一旦损坏,其内部的数据将全部丢失,而且基本上是不可恢复的)。因为导致性能下降的原因也和其使用寿命紧密相关。通常,固态硬盘的性能越差意味着它的使用寿命就越短。这是因为固态硬盘的磨损与固态硬盘上发生的数据写入和清除次数直接相关。发生写数据的次数越多,性能就越差,其寿命也就越短。



对传统硬盘,人们常用平均无故障时间(MTBF)来标识其可靠性,现在很多 SSD 制造商借用这个指标来说明 SSD 质量的高低。显然,这样做非常扯淡。事实上,SSD 的寿命与其如何使用有密切关系。比如,Intel 的消费级 SSD X25-M 的 MTBF 为120万个小时,与普通的磁介质大体相当。INTEL 估计,如果每天写入 100GB 数据的话,理论上可以使用5年,不过这个只是理论上的最优情况,实际寿命肯定比这个要短。另一方面,NAND 闪存中的数据最多只可以保存10年左右,也就是说10年是 SSD 的理论最大寿命。值得注意的是,SSD 的使用寿命主要取决于其写入数据的次数,而与读取次数关系不大。有鉴于此,那些以“一次存取,多次查询”为主的应用形式(如搜索引擎、数据仓库)应该是 SSD 最适合的应用场合。



为了弄清楚这些问题,我们必须要进一步了解 SSD 相关的技术信息。



SSD 技术解析



SLC/eSLC 与 MLC/eMLC 与 TLC/eTLC



SSD 的基本存储单元分为三类:SLC(Single Level Cell 单层单元) 和 MLC(Multi-Level Cell 多层单元) 以及较新的 TLC(Triple Level Cell 三层单元) 。低端产品一般采用 MLC(multi-level cell) 或者 TLC(Triple Level Cell) 闪存,其特点是功耗高、容量大、速度慢(2MB/S)、可靠性低、存取次数低(3000次[25nm]-1万次[50nm],制程越先进次数反而越小)、价格也低。高端产品一般采用 SLC(single-level cell) 闪存,其特点是技术成熟、功耗低、容量小、速度快(8MB/S)、可靠性高、存取次数高(10万次)、价格也高。造成这种差异的原因在于,每个 MLC/TLC 存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能和可靠性大幅落后于结构简单的 SLC 闪存。



SLC 就是在每个存储单元里存储 1bit 的数据,存储的数据是0还是1是基于电压阀值的判定,对于 NAND Flash 的写入(编程),就是控制 Control Gate 去充电(对 Control Gate 加压),使得浮置栅极存储的电荷够多,超过4V,存储单元就表示 0(已编程),如果没有充电或者电压阀值低于4V,就表示 1(已擦除)。





MLC 就是每个存储单元里存储 2bit 的数据,存储的数据是"00","01","10","11"也是基于电压阀值的判定,当充入的电荷不足3.5V时,就代表"11",当充入的电荷在3.5V和4.0V之间,则代表"10",当充入的电荷在4V和5.5V之间,则表示"01",当充入的电荷在5.5V以上,则表示"00"。同时由前面的图可以看到,MLC 相比 SLC 虽然使用相同的电压值,但是电压之间的阀值被分成了4份,可以想象这样就直接影响了性能和稳定性。





而 TLC 就更加复杂,因为每个存储单元里存储 3bit 的数据,所以它的电压阈值的分界点就更细致,导致的结果也就每个存储单元的可靠性也更低。由于 TLC 与 MLC 没有本质区别,所以在本文剩余部分就不再提及 TLC 了。



在 NAND Flash 工厂制造处理过程中,厂商把晶元上最好的那部分 Flash 晶片挑选出来并用企业级的标准来检测晶片的数据完整性和耐久度。检测完后,这些晶片被取下来改变内部些许参数并进行之后的比标准 SLC/MLC 更苛刻的测试。当这些晶片通过测试后,就被定义为 eSLC/eMLC 级别组,余下的就成为普通 SLC/MLC 级别组了。



相对普通 SLC/MLC 来说,eSLC/eMLC 的不同之处主要体现在下面4个方面:




  • P/E 数字更大,比如34nm镁光的 eMLC 是30,000次,而 MLC 是5000次。

  • eSLC/eMLC 擦写操作和编程操作所需要的时间相比 SLC/MLC 更长。

  • 当使用完厂商保证的P/E数后,eSLC/eMLC 的数据保存期一般在3个月,而 SLC/MLC 的数据保存期在1年。

  • 相对在的企业级应用下,使用 eSLC/eMLC 的稳定性比 SLC/MLC 要高得多,也就是出错的概率更小。



Legacy/ONFI/Toggly



早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同,会碰到各种各样的问题,特别是到了2006年之后,闪存产业市场需求开始发力,造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题。



由于传统的 Legacy 接口每通道传输带宽为 40MT/s,已经不能满足现今高速发展的 SSD 产品需求。2007年1月,以英特尔,镁光,海力士,意法半导体,力晶为首的 NAND 闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接 NAND 闪存和控制芯片的接口标准"ONFI 1.0"。ONFI 1.0 标准把传统 Legacy 接口每通道传输带宽提升到了 50MT/s,可以说 ONFI 1.0 的目的主要是想着统一接口的设计。



2008年2月,ONFI 2.0 宣布了,ONFI 2.0 的标准使 NAND 闪存的通道传输带宽从 50MT/s 提高到了 133MT/s ,并保持了老版本接口的兼容性。



2009年2月,ONFI 2.1 宣布了,相比 ONFI 2.0 更加简化了闪存控制器设计,并将传输性能提升到 166MT/s ~ 200MT/s 附近。



2009年10月,ONFI 2.2 宣布了,在 ONFI 2.1 的基础上,ONFI 2.2 加入了独立 LUN 重置,增强页编程寄存器的清除,新的 ICC 测量和规范。



2011年3月,ONFI 3.0 宣布了,提升接口带宽到 400MT/s,降低CE针脚需求来提升PCB的布局能力,支持 EZ-NAND(闪存内集成ECC)接口。



2013年7月,ONFI 3.2 宣布了,提升接口带宽到 533MT/s。



另一方面,老牌 NAND 制造厂商三星的接口标准为 OneNAND,而东芝的接口标准为 LBA-NAND,由于这两家全球份额加起来接近70%,不可能让IM(英特尔/镁光新加坡合资NAND厂)这个后起之秀那么嚣张,所以在2007年底,2家老牌 NAND 制造厂商进行了技术上交互式授权,将共享三星的 OneNAND 和东芝的 LBA-NAND 闪存专利技术和品牌的生产、市场和销售权。



2010年6月,三星和东芝宣布了他们的新的 NAND 数据通道接口标准。DDR Toggle Mode 模式,相比传统的异步 NAND 闪存,其接口带宽可从 40MT/s 提升到 133MT/s,DDR Toggle Mode NAND 闪存使用双向DQS生成输入/输出信号,在信号上升沿和下降沿都能进行资料的传输,所以速度可以翻倍。由于还是异步设计,没有改变特定的时钟信号,相对同步设计上会更省电,设计上会也相对简单。



2011年,DDR Toggle Mode 2.0 版宣布,接口带宽增加到了 400MT/s。2011年,三星再次于全球率先量产 400Mbps 传输速度的 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash 新品,生产厂商将从2011年下半年开始推出各种基于 64Gb 高速 NAND Flash 的高性能、大容量产品。



预计2015-2017年,我们将迎来 Toggle DDR Mode 3.0 标准,届时带宽将达到800MT/s。



总之,目前 NAND 数据通道接口标准有两大阵营:Intel/Micron 的标准是 ONFI,三星和东芝的标准叫 Toggly 。



多 Plane NAND



多 Plane NAND 是一种能够有效提升性能的设计。多 Plane 的原理很简单,从下图中(Micron 25nm L73A)我们看到,一个晶片内部分成了2个 Plane,而且2个 Plane 内的 Block 编号是单双交叉的,想象我们在操作时,也可以进行交叉操作(一单一双)来提升性能,根据测试,某些情况下性能可以比单 Plane 设计提高约50%以上。





下图中我们看到2个 Plane Page 读取操作相比单个 Page 读取操作每2个 Page 节省了一次 Page 读取时间。同样作为擦除,写入操作的话,2个 Plane 的交叉操作也能带来性能的提升。





FLT



操作系统通常将硬盘理解为一连串 512B 大小的扇区[注意:操作系统对磁盘进行一次读或写的最小单位并不是扇区,而是文件系统的,一般为 512B/1KB/4KB 之一(也可能更大),其具体大小在格式化时设定],但是闪存的读写单位是 4/8/16KB 大小的,而且闪存的擦除(又叫编程)操作是按照 128 或 256 页大小的来操作的。更要命的是写入数据前必须要先擦除整个块,而不能直接覆盖。这完全不符合现有的、针对传统硬盘设计的文件系统的操作方式,很明显,我们需要更高级、专门针对 SSD 设计的文件系统来适应这种操作方式。但遗憾的是,目前还没有这样的文件系统。



为了兼容现有的文件系统,就出现了 FTL(闪存转换层),它位于文件系统和物理介质之间,把闪存的操作习惯虚拟成以传统硬盘的 512B 扇区进行操作。这样,操作系统就可以按照传统的扇区方式操作,而不用担心之前说的擦除/读/写问题。一切逻辑到物理的转换,全部由 FTL 层包了。



FTL 算法,本质上就是一种逻辑到物理的映射,因此,当文件系统发送指令说要写入或者更新一个特定的逻辑扇区时,FTL 实际上写入了另一个空闲物理页,并更新映射表,再把这个页上包含的旧数据标记为无效(更新后的数据已经写入新地址了,旧地址的数据自然就无效了)。







有了 FTL,我们才能像机械硬盘那样操作 SSD。但是很明显,这种方法有个很大的缺憾:跟踪开销。所以 FTL 的转换速度直接影响 SSD 的读写性能。



磨损平衡(Wear leveling)



简单说来,磨损平衡是确保闪存的每个块被写入的次数相等的一种机制。



通常情况下,在 NAND 块里的数据更新频度是不同的:有些会经常更新,有些则不常更新。很明显,那些经常更新的数据所占用的块会被快速的磨损掉,而不常更新的数据占用的块磨损就小得多。为了解决这个问题,需要让每个块的编程(擦写)次数尽可能保持一致:这就是需要对每个页的读取/编程操作进行监测,在最乐观的情况下,这个技术会让全盘的颗粒物理磨损程度相同并同时报废。



磨损平衡算法分静态和动态。动态磨损算法是基本的磨损算法:只有用户在使用中更新的文件占用的物理页地址被磨损平衡了。而静态磨损算法是更高级的磨损算法:在动态磨损算法的基础上,增加了对于那些不常更新的文件占用的物理地址进行磨损平衡,这才算是真正的全盘磨损平衡。简单点说来,动态算法就是每次都挑最年轻的 NAND 块来用,老的 NAND 块尽量不用。静态算法就是把长期没有修改的老数据从一个年轻 NAND 块里面搬出来,重新找个最老的 NAND 块放着,这样年轻的 NAND 块就能再度进入经常使用区。概念很简单,但实现却非常的复杂,特别是静态。



尽管磨损均衡的目的是避免数据重复在某个空间写入,以保证各个存储区域内磨损程度基本一致,从而达到延长固态硬盘的目的。但是,它对固态硬盘的性能有不利影响。



垃圾回收(Garbage collection)



由前面的磨损平衡机制知道,磨损平衡的执行需要有“空白块”来写入更新后的数据。当可以直接写入数据的“备用空白块”数量低于一个阀值后,SSD主控制器就会把那些包含无效数据的块里的所有有效数据合并起来写到新的“空白块”中,然后擦除这个块以增加“备用空白块”的数量。这个操作就是SSD的垃圾回收。







有三种垃圾回收策略:



闲置垃圾回收:很明显在进行垃圾回收时候会消耗大量的主控处理能力和带宽造成处理用户请求的性能下降,SSD 主控制器可以设置在系统闲置时候做“预先”垃圾回收(提前做垃圾回收操作),保证一定数量的"备用空白块",让 SSD 在运行时候能够保持较高的性能。闲置垃圾回收的缺点是会增加额外的"写入放大",因为你刚刚垃圾回收的"有效数据",也许马上就会被更新后的数据替代而变成"无效数据",这样就造成之前的垃圾回收做无用功了。



被动垃圾回收:每个 SSD 都支持的技术,但是对主控制器的性能提出了很高的要求,适合在服务器里用到,SandForce 的主控就属这类。在垃圾回收操作消耗带宽和处理能力的同时处理用户操作数据,如果没有足够强劲的主控制器性能则会造成明显的速度下降。这就是为啥很多 SSD 在全盘写满一次后会出现性能下降的道理,因为要想继续写入数据就必须要边垃圾回收边做写入。



手动垃圾回收:用户自己手动选择合适的时机运行垃圾回收软件,执行垃圾回收操作。



可以想象,如果系统经常进行垃圾回收处理,频繁的将一些区块进行擦除操作,那么 SSD 的寿命反而也会进一步下降。由此把握这个垃圾回收的频繁程度,同时确保 SSD 中的闪存芯片拥有更高的使用寿命,这确实需要找到一个完美的平衡点。所以,SSD 必须要支持 Trim 技术,不然 GC 就显不出他的优势了。



Trim



Trim 是一个 ATA 指令,当操作系统删除文件或格式化的时候,由操作系统同时把这个文件地址发送给 SSD 的主控制器,让主控制器知道这个地址的数据无效了。



当你删除一个文件的时候,文件系统其实并不会真正去删除它,而只是把这个文件地址标记为“已删除”,可以被再次使用,这意味着这个文件占的地址已经是“无效”的了。这就会带来一个问题,硬盘并不知道操作系统把这个地址标记为“已删除”了,机械盘的话无所谓,因为可以直接在这个地址上重新覆盖写入,但是到了 SSD 上问题就来了。NAND 需要先擦除才能再次写入数据,要得到空闲的 NAND 空间,SSD 必须复制所有的有效页到新的空闲块里,并擦除旧块(垃圾回收)。如果没有 Trim 指令,意味着 SSD 主控制器不知道这个页是“无效”的,除非再次被操作系统要求覆盖上去。



Trim 只是条指令,让操作系统告诉 SSD 主控制器这个页已经“无效”了。Trim 会减少写入放大,因为主控制器不需要复制“无效”的页(没 Trim 就是“有效”的)到空白块里,这同时代表复制的“有效”页变少了,垃圾回收的效率和 SSD 性能也提升了。



Trim 能大量减少伪有效页的数量,它能大大提升垃圾回收的效率。



目前,支持 Trim 需要三个要素,缺一不可:




  • 系统: 操作系统必须会发送 Trim 指令,Win7, Win2008R2 , Linux-2.6.33 以上。

  • 固件: SSD 的厂商在固件里要放有 Trim 算法,也就是 SSD 的主控制器必须认识 Trim 指令。

  • 驱动: 控制器驱动必须要支持 Trim 指令的传输,也就是能够将 Trim 指令传输到 SSD 控制器。MS 的驱动,Intel 的 AHCI 驱动目前支持。别的要看之后的更新了。



目前,RAID 阵列里的盘明确不支持 TRIM,不过 RAID 阵列支持 GC。



NCQ



NCQ(Native Command Queuing)的意思是原生指令排序。使用 NCQ 技术可以对将要读取的文件进行内部排序,然后对文件的排序做最佳化线路读写,达到提升读写效率的目地。NCQ 最早是 SCSI 的标准之一,只是那时候不叫 NCQ,对这个标准稍作修改后,在 SATA 的应用上就叫做 NCQ 了,SAS 接口也支持 NCQ。SSD 虽然没有机械臂,但是 SSD 有多通道。开启 NCQ 后,SSD 主控制器会根据数据的请求和 NAND 内部数据的分布,充分利用主控制器通道的带宽达到提升性能的目地,所以 NCQ 对 SSD 也有帮助,理想状况下性能提升可达5-10倍。目前原生支持 SATA 的 SSD 都能支持 NCQ。当然,要开启NCQ,必须要使用 AHCI 模式。



预留空间(Over-provisioning)



预留空间是指用户不可操作的容量,为实际物理闪存容量减去用户可用容量。这块区域一般被用来做优化,包括磨损均衡,GC和坏块映射。



第一层为固定的7.37%,这个数字是如何得出的哪?我们知道机械硬盘和 SSD 的厂商容量是这样算的,1GB 是1,000,000,000字节(10的9 次方),但是闪存的实际容量是每 GB=1,073,741,824,(2的30次方) ,两者相差7.37%。所以说假设1块 128GB 的 SSD,用户得到的容量是 128,000,000,000 字节,多出来的那个 7.37% 就被主控固件用做OP了。



第二层来自制造商的设置,通常为 0%,7%,28% 等,打个比方,对于 128G 颗粒的 SandForce 主控 SSD,市场上会有 120G 和 100G 两种型号卖,这个取决于厂商的固件设置,这个容量不包括之前的第一层 7.37% 。



第三层是用户在日常使用中可以分配的预留空间,用户可以在分区的时候,不分到完全的 SSD 容量来达到这个目的。不过需要注意的是,需要先做安全擦除(Secure Erase),以保证此空间确实没有被使用过。





预留空间虽然让 SSD 的可用容量小了,但是带来了减少写入放大、提高耐久性、提高性能的效果。根据经验,预留空间在 20%-35% 之间是最佳平衡点。



写入放大(Write amplification)



因为闪存必须先擦除(也叫编程)才能写入,在执行这些操作的时候,移动或覆盖用户数据和元数据(metadata)不止一次。这些额外的操作,不但增加了写入数据量,减少了SSD的使用寿命,而且还吃光了闪存的带宽,间接地影响了随机写入性能。这种效应就叫写入放大(Write amplification)。一个主控的好坏主要体现在写入放大上。



比如我要写入一个 4KB 的数据,最坏的情况是,一个块里已经没有干净空间了,但是有无效数据可以擦除,所以主控就把所有的数据读到缓存,擦除块,从缓存里更新整个块的数据,再把新数据写回去。这个操作带来的写入放大就是:我实际写4K的数据,造成了整个块(1024KB)的写入操作,那就是256倍放大。同时带来了原本只需要简单的写4KB的操作变成闪存读取(1024KB),缓存改(4KB),闪存擦(1024KB),闪存写(1024KB),造成了延迟大大增加,速度急剧下降也就是自然的事了。所以,写入放大是影响 SSD 随机写入性能和寿命的关键因素。



用100%随机4KB来写入 SSD,对于目前的大多数 SSD 主控而言,在最糟糕的情况下,写入放大的实际值可能会达到或超过20倍。当然,用户也可以设置一定的预留空间来减少写入放大,假设你有个 128G 的 SSD,你只分了 64G 的区使用,那么最坏情况下的写入放大就能减少约3倍。



许多因素影响 SSD 的写入放大。下面列出了主要因素,以及它们如何影响写入放大。




  1. 垃圾回收虽然增加了写入放大(被动垃圾回收不影响,闲置垃圾回收影响),但是速度有提升。

  2. 预留空间可以减少写入放大,预留空间越大,写入放大越低。

  3. 开启 TRIM 指令后可以减少写入放大

  4. 用户使用中没有用到的空间越大,写入放大越低(需要有 Trim 支持)。

  5. 持续写入可以减少写入放大。理论上来说,持续写入的写入放大为1,但是某些因素还是会影响这个数值。

  6. 随机写入将会大大提升写入放大,因为会写入很多非连续的 LBA。

  7. 磨损平衡机制直接提高了写入放大



DuraWrite



如前所述,NAND闪存存储的一大缺陷就是需要在写入时对存储结构进行整理,这导致实际上写入的数据比我们真正需要存储的数据量大。在一款比较普通的固态硬盘中,如果你需要写入1GB数据,在盘内结构已经比较混乱(存储、删除、再存储)的情况下,最后真正写入的数据量可能高达10GB甚至20GB。真实写入数据与需要写入数据之比即为“写入放大率”。



DuraWrite是SandForce开发的一种减少SSD写入放大率的技术:写入1GB数据时,最终写进闪存的可能只有500MB甚至更少。根据厂方的测试,安装Windows Vista和Office 2007的全过程共需要写入25GB数据,而使用DuraWrite技术实际写入仅为11GB。所以厂商自称其写入放大率是"0.5"!真是天方夜谭是吧?可能你已经猜到了,奥秘在于SandForce在将数据写入闪存前进行了压缩。不过根据厂方的说法,这并不仅仅是压缩这么简单,而是一套多种多样的数据缩量算法。比如当数据存在重复时,仅写入特殊部分;当数据可压缩时,即进行压缩再存储等。由于写入数据变少,SandForce控制器不需要使用外部DRAM缓存,而是在芯片内直接集成了较大容量的缓存。



这项技术确实可以带来很多优点,特别是性能上。写入的数据少了,相对来说速度自然就翻倍了,而读取操作同样如此。因此,数据库等类似的需要高吞吐量的操作都是可以获得极佳的性能发挥。当然,SandForce标称高达500MB/s的写入速度只是在最好情况下的成绩(数据可以被实时压缩)而已,不可迷信。但这样的技术也有弱点,当需要写入的数据已经进行过压缩时(如图片、视频或压缩文件),其算法就无法再发挥理想效果。



其实DuraWrite是包含于DuraClass技术之中的一个组件。DuraClass技术包含RAISE、DuraWrite、GC、ECC等技术。RAISE是一项类似于RAID5的功能机制,是一个独立的冗余数组结构,这个功用的主要目标,是在于改进故障机率,保障压缩数据的安全。其实这项技术也是配合DuraWrite技术而运作的。所以可以说DuraWrite是DuraClass技术的关键,也是SandForce系列主控的灵魂。



坏块管理



不管磨损平衡算法如何聪明,在运作中都会碰到一个头痛的问题,那就是坏块,所以一个SSD必须要有坏块管理机制。何谓坏块?一个NAND块里包含有不稳定的地址,不能保证读/写/擦的时候数据的准确性。其概念和传统机械式硬盘的坏块相似。





坏块分出厂坏块和使用过程中出现的坏块,和机械式硬盘的坏块表一样(P表和G表),SSD也有坏块表。出厂坏块的话,在坏块上会有标记,所以很容易就能被识别,后期使用中出现的坏块就要靠主控制器的能力了,一般来说,越到NAND生命的后期(P/E数开始接近理论最大值),坏块就会开始大量出现了。NAND出厂前都会被执行擦除操作,厂商会在出货前会把坏块标记出来(厂商会在坏块的第一个页的SA区上打上标记)。这样坏块管理软件就能靠监测SA区标记来制作坏块表。SA区的意思是页中4096~4319的区域,用户不可访问,主要用来存放ECC算法、坏块信息、文件系统资料等。由于在使用中会产生坏块,所以SSD的每次编程/擦除/复制等操作后都要检查块的状态。对颗粒的ECC要求也要达到厂商的标准以上(主控强不强,看ECC能力也是一个参考)。



ECC



ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法。由于NAND Flash的工艺不能保证NAND在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理机制,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page中只有一个或几个bit出错,这时候ECC就能发挥作用了。不同颗粒有不同的基本ECC要求,不同主控制器支持的ECC能力也不同,理论上说主控越强ECC能力越强。



交错操作



交错操作可以成倍提升NAND的传输率,因为NAND颗粒封装时候可能有多Die、多Plane(每个plane都有4KB寄存器),Plane操作时候可以交叉操作(第一个plane接到指令后,在操作的同时第二个指令已经发送给了第二个plane,以此类推),达到接近双倍甚至4倍的传输能力(看闪存颗粒支持度)。





断电保护



这是英特尔在所有第三代固态硬盘中重点增加的一项功能,而在SandForce的方案中作为可选项提供。SandForce的方案是配备有一个0.09F的大容量电容以保证断电之后数据还可以写入到闪存当中,防止丢失。更进一步,还可以多电容并联带来更好的可靠性,就算其中一个坏掉,其他的电容还可以正常工作。



SMART监控



S.M.A.R.T(Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology)中文的意思是"自我监测、分析和报告技术"。可以用来预测分析硬盘的潜在问题。这是一项延续自传统机械式硬盘的技术。



硬盘故障,分为忽然性和渐进性2种:




  • 忽然性:没有任何迹象,很难预防。比如芯片烧了、硬盘摔了、人品不好之类。要防止只有多做备份,或者做RAID之类的冗余。

  • 渐进性:随着时间慢慢发生的,可以预先感知。比如声音出现异常,可能是主轴马达磨损,硬盘逐渐老化出现读取困难等,在SSD上主要指颗粒磨损度,不可修复错误数明显增加等。



对于渐进性的故障,我们可以借助SMART数据发现点有用的信息。但是需要注意的是:



机械硬盘的SMART表定义已经有自己的标准,由于硬盘厂很多,很多厂家属性的名字也不尽相同,或者某些厂牌缺少某些属性,但是同个ID的定义是相同的。而固态硬盘的SMART表定义则目前还没有统一标准,不同厂家甚至不同主控都有可能出现相同ID不同定义,所以用一般的SMART软件查看是没任何意义的,虽然你可以看到值,但是这个值对应的ID解释可能完全不是那么回事。



SSD与HDD的比较



全面将SSD和HDD进行对比是很复杂的,传统的HDD性能评测主要关注其固有的弱点,比如寻道时间和转速。SSD并不旋转,也不存在寻道的问题,故而在这些传统测试中,可以取得惊人的成绩。但是,SSD有其自身特有的弱点,比如混合读写、垃圾回收、ECC、磨损平衡,等等。而且通常一个新SSD空盘的性能会比使用了一年之后、包含很多数据的SSD性能高出许多。所以面向传统HDD的性能测试方法并不适用于SSD。



尽管难以简单对比,下面的表格还是在理论上给出两者的差异:
































































































  SSD HDD
启动时间 由于没有马达和转臂,所以几乎可以瞬间完成。同时从休眠模式中唤醒也大约只需要几毫秒即可。 可能需要数秒以启动马达。而且当磁盘量非常大的时候,需要依次启动以防止瞬间电流过载。
随机访问时间 大约仅需0.1毫秒,因为无需寻道。 大约需要5–10毫秒。
读取潜伏期 通常很短,因为直接读取。 通常比较高,因为磁头需要额外的时间等待扇区的到来。
读取性能一致性 读取性能不因数据在SSD上的存储位置不同而不同。 读取性能与存放在磁盘的内圈还是外圈有关,也与文件的碎片程度有关。
碎片整理 SSD基本不需要进行碎片整理,因为读取连续的数据并不明显比读取分散的数据快。并且碎片整理会额外增加NAND闪存的写入次数,从而降低其寿命。 HDD通常需要在文件碎片达到一定程度后进行整理,否则性能会有明显下降。特别是在含有大量文件的情况下更是如此。
噪音 SSD无任何噪音 HDD有明显的噪音,并且在读写频繁的时候噪音更大。
机械可靠性 无机械故障 随着时间的推移,机械故障概率会逐渐增加。
环境敏感性 对震动、磁场、碰撞不敏感 对震动、磁场、碰撞敏感
体积和重量 体积小、重量轻 性能越高,体积和重量越大
并行操作 多数控制器可以使用多个芯片进行并发读写 HDD虽然有多个磁头,但是由于共享同一个位置控制电机,所以不能并发读写。
写入寿命 基于闪存的SSD有写入寿命限制,且一旦损坏,整个SSD的数据都将丢失。 无写入寿命限制
数据安全问题 NAND闪存的存储块不能被直接覆盖重写,只能重新写入先前被擦除的块中。如果一个软件加密程序对已经存在于SSD上的数据进行加密,那些原始的、看上去已经被覆盖掉的原始数据实际上并没有被覆盖,它们依然可以被读取,从而造成信息泄漏。但是SSD自身基于硬件的加密装置没有这个问题。此外,也不能简单的通过覆盖原文件的办法来清除原有的数据,除非该SSD有内建的安全删除机制,并且确实已经被启用。 HDD可以直接覆盖掉指定的扇区,因而不存在这个问题。
单位容量成本 贵。但是大约每两年下降一半。 便宜
最大存储容量 小。但是大约每两年可翻一倍。
读/写性能对称 低端SSD的读取速度远高于写入速度,但是高端产品的读写速度可以做到一致。 HDD的读取速度通常比写入速度快一些,但是差距并不很大。
TRIM与可用空白块 SSD的写入性能受可用空白块数量影响很大。先前曾经写入过数据且现在未被使用的块,可以通过TRIM来回收,使其成为可用的空白块。但是即使经过TRIM回收的块,其性能依然会出现下降。 HDD完全没有这些问题,其性能不会因为多次读写而出现下降,也不需要进行TRIM操作。
能耗 即使是高性能的SSD通常其能耗也只有HDD的1/2到1/3。 高性能HDD通常需要大约12-18瓦,而为笔记本设计的节能HDD的功耗通常在2-3瓦。


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20200630行业新闻汇总

每日新闻sunny 发表了文章 • 0 个评论 • 43 次浏览 • 2020-06-30 09:26 • 来自相关话题


重点新闻详细内容、




英国计划斥巨资推动基础设施建设



据路透社报导,英国首相鲍里斯·约翰逊28日表示,已拟定“事关英国国运”的经济刺激计划,将在新冠病毒疫情结束后投入数百亿英镑巨额资金,“快速恢复英国经济”。



约翰逊将在周二发表演讲,宣布经济刺激计划,该经济刺激计划将对医院、学校、房产开发、铁路和公路等基础设施项目进行大规模投资,以挽救英国严峻的就业形势,加速恢复英国经济。



财政大臣里希·苏纳克将宣布相关财政预算案,并领衔担纲成立“项目速度”工作组,强力推进各项工程进程,以缩短交付“高质量基础设施”所需时间。



内政大臣帕蒂尔表示:“这是一项重要计划,随着我们逐渐遏制冠状病毒传播,我们希望英国再次行动起来。我们正迈向复苏之路,一条路线图,目前侧重于基础设施,在全国范围内升级建设。建设热潮将有效帮助创造就业机会,全面恢复经济。”



尽管有人对此类工程的法案提出了质疑,但约翰逊重申,其不会恢复保守党前首相戴维·卡梅伦领导下的紧缩政策。他将迅速采取行动,“以建立通往健康的道路”。

 



前五月中国集成电路产量逆势增长13.3%



近日,中国工业和信息化部原部长、中国工业经济联合会会长李毅中表示,由于集成电路产业的特殊性,今年上半年集成电路产量呈逆势增长,今年前五月累计增长13.3%。



作为中国半导体行业重镇,上海的半导体行业也实现逆势增长。上海市委常委、副市长吴清表示,在今年1-5月各个领域受到挑战的情况下,上海集成电路逆势增长,销售收入实现38.7%的增长。



中国半导体行业协会理事长周子学表示,从全球看,疫情还未结束,下半年甚至明年是否会严峻需要进一步分析。如果世界经济出现大面积下滑,市场萎缩,将对半导体行业有影响,“但今年上半年半导体逆势上扬,我们可以保持很好的信心”。



从下游应用看,集成电路主要终端如手机、汽车、微型计算机等产量大幅下降。李毅中指出,这或将传导到上游集成电路产业。例如,1-5月手机产量下降16.5%,汽车下降23.6%,1-4月微型计算机下降6.5%。



SEMI(国际半导体产业协会)全球副总裁、中国区总裁居龙指出,半导体在经济发展中扮演的推动角色愈发明显,在2019年半导体产业经历回调后业界原本预计今年会有所增长,但新冠疫情及其他综合因素对全球经济产生了影响,今年半导体产业销售额将会有5%或更多的负增长,2021年将会重新恢复正成长。



根据SEMI关于全球半导体晶圆厂设备投资的最新报告预测,2020年虽会好于先前预测,但仍会有4%的下滑。而2021年全球晶圆厂设备支出将迎来标志性一年,达到创纪录的677亿美元,增长率达24%。具体而言,存储器工厂将以300亿美元的设备支出领先全球半导体领域,而领先的逻辑和代工厂预计将以290亿美元的投资排名第二。



短期市场的不确定性并未影响半导体行业长期向好的预期。即使今年面临各种不确定性,全球晶圆代工龙头台积电和大陆龙头中芯国际仍扩大了资本开支。台积电2020年预计资本开支150亿到160亿美元。



中芯国际一季度创下季度营收新高,营收9.05亿美元,较上年同期增长35.3%;归属于公司所有人净利6416.4万美元,同比上涨422.8%。随后,该公司追加全年资本开支11亿美元至43亿美元。



我国3D NAND闪存也迎来新进展。据媒体报道,6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建设,总投资240亿美元。一期主要实现技术突破,建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。



SEMI数据显示,3D NAND Memory细分市场将在今年推动30%的投资激增,从而推动支出狂潮,在2021年实现17%的增长。



长江存储联席CTO程卫华称,从全球市场综合发展来看,企业级SSD、个人电脑和智能手机将是未来闪存市场增长的主要驱动力。预计到2024年,SSD的需求会占闪存总需求的57.7%,智能手机占27.0%。对长江存储而言,市场的容量足够大,机会足够多,还有很多高速率低延时的应用还未被充分开发出来,长江存储的加入将为市场带来新活力。



此外,多位行业人士强调半导体合作开放的重要性。周子学指出,半导体是高度国际化的产业,没有一个国家闭门发展。此次抗击疫情的经验再次提醒人们,产业发展面临挑战时,必须秉持开放合作的理念,加强沟通和交流。



上海华虹(集团)有限公司董事长张素心也指出,半导体是全球产业界合作推动发展的典范。不同国家经济发展水平有差异,通过不同产业在全球有规律的转移,可以保持新兴领域的不断创新以及成本不断下降,希望开放与创新合作成为全球产业链的共识。



 



力晶与爱普合作,强化5GAI领域的DRAM应用



力晶科技创办人黄崇仁表示,力晶集团将与爱普一起携手,双方各拥有不同DRAM技术的专利,结合设计与制造的双强,将迈大步进军5G、AI市场。



爱普从前年即开始投入研发资源,开发 3D AI Memory 异质多芯片封装技术,负责高性能客制化 DRAM 的设计及 DRAM 逻辑接口 IP 服务。目前爱普3D AI DRAM已得到晶圆代工厂与多家客户支持,将与力晶旗下晶圆代工厂力积电合作,正进行工程样品测试中。



黄崇仁表示,力晶与爱普合作,将会在DRAM领域上积极整合,尤其是3D应用的整合,可以很顺利的发展,现在双方都有专利,爱普也有IP可以把DRAM变成应用目标,力晶将全力支持爱普发展各种IP,互补互利。

 

黄崇仁进一步强调,爱普积极推进下一代人工智能 AI 所需的 Memory 架构,首先是逻辑与DRAM整合一个IC(intra memory)。其次是把DRAM与逻辑芯片堆栈在一起的技术,可以把带宽与指令周期变大,同时具有低功耗的特质。



另外,就是3D的技术。高性能运算的封装技术已从 2D 提升至 2.5D,并朝 3D 发展,所谓 2D 是传统的平面封装方式,2.5D 是指将逻辑芯片和DRAM堆栈在硅载板上,为目前主流技术,但 2.5D 并非互相堆栈,DRAM带宽仍受到硅载板内横向走线的限制。



3D 技术则是藉由高端 TSV(硅穿孔) 技术,直接进行逻辑与DRAM异质芯片垂直迭合,可带来大幅度带宽增加,功耗减少,是未来技术发展必然方向,也极大机会逐渐取代 2.5D 成为行业主流,爱普与力晶一起携手下,将有新的技术突破。

另外,力晶向股东承诺,旗下力积电预计今年10月底、11月初登录兴柜,并规划于2021年挂牌上市。至于力晶与合肥市合资的合肥晶合12吋厂,晶合营运逐步上轨道,目前月产能2.2万片,产能满载,并损益两平,今年底月产能将扩产到3.5万片,并开始赚钱。



 



西部数据高端企业级SSD新品下月发货:采用96TLC



西部数据推出新款定位高端市场企业级NVMe SSD,型号为“Ultrastar DC SN840”以及可以启动多达24个SN840 SSD的OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台。其中,Ultrastar DC SN840将于下个月发货,OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台将于秋季发货并提供五年有限保修。



新款数据中心存储解决方案进一步扩展了西部数据企业级产品组合,以帮助客户过渡到效率更高的NVMe SSD和更高级的共享存储架构,以满足性能驱动型应用程序和工作负载不断变化的需求。



NVMe接口采用率持续增加,有望在2020年达到企业级SSD总出货量的55%以上



随着超大规模云和企业数据中心性能不断提高,企业对NVMe和NVMe-oF解决方案的采用持续加速。IDC预计,超大规模生产商,OEM和最终IT用户组织将继续从传统的SATA和SAS接口向NVMe接口过渡,并有望在2020年达到企业级SSD总出货量的55%以上,至2023年保持复合年增长率为38%。



IDC研究副总裁Jeff Janukowicz表示:“毫无疑问,闪存的未来将是NVMe,因为它可以实现速度,效率,容量和成本效益的可扩展性,而NVMe-oF将其提升到一个新的水平。”



Ultrastar DC SN840 SSD:采用96层TLC闪存芯片,容量最高达15.36TB



Ultrastar DC SN840 SSD和此前的SN640、SN340均采用BiCS4 96层堆叠TLC闪存,其中新款SN840采用U.2 2.5英寸形态,厚度15mm,可同时提供PCIe 3.0 x4单接口或者PCIe 3.0 x2+x2双接口。



https://chinaflashmarket.com/Uploads/image/2020/06/28/WD1.png



容量方面按照写入耐久性的不同提供两个系列选择,一种是支持每天3次全盘写入,容量选择分别为1.6TB、3.2TB、6.4TB,冗余容量更大。该系列的随机写入性能也更高,持续读写速度3.3GB/s、3.2GB/s,随机读写速度780K IOPS、257K IOPS,70/30混合随机读写速度503K IOPS。



另外系列支持每天1次全盘写入,容量选择分别为1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB,也是西数SSD容量的新高。性能方面,该系列持续读写3.3GB/s、3.1GB/s,随机读写780K IOPS、160K IOPS,70/30混合随机读写速度401K IOPS。



https://chinaflashmarket.com/Uploads/image/2020/06/28/WD2.png



OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台:全球唯一开放式可组合分解基础架构



西部数据新款OpenFlex Data24 NVMe-oF存储平台通过使Ultrastar NVMe SSD的全部带宽能够通过低延迟以太网结构由多个主机共享,就好像它们本地连接到x86服务器内部的PCIe总线一样,来克服由于存储资源利用不足导致的数据中心低效和运营费用高昂的问题。



OpenFlex Data24可启动多达24个可热插拔的Ultrastar DC SN840 NVMe SSD,以紧凑的2U尺寸提供高达368TB的共享存储容量,使其非常适合服务器存储扩展和横向扩展软件定义存储(SDS)环境。整体设计还集成了RapidFlex RDMA的NVMe-oF控制器,以实现更好的网络连接性和更低的功耗,能够允许多达6台主机直接与100Gb以太网相连,而无需外部交换机。



为了实现更优秀的实用性及可靠性,OpenFlex Data24可以作为共享存储连接到高性能基础架构部署中,也可以用作分类资源来组成虚拟存储系统。该平台可与屡获殊荣的OpenFlex F系列完全互操作,该系列是世界上唯一的开放式可组合分解基础架构(CDI)解决方案。



西部数据设备和平台业务高级副总裁Yusuf Jamal表示:“数据基础结构对当今世界的经济至关重要。” “作为重要数据基础架构的领先提供商,我们的使命是帮助企业构建下一代数据中心,以大规模支持业务关键型应用程序和需要大量带宽的工作负载。西部数据在NAND闪存,容量企业HDD和支持技术方面具有领导地位。我们致力于帮助企业向NVMe过渡并迁移到可最大化其数据存储资源价值的新的可组合架构。”



 



总投资超73亿元!赣州经开区集中签约包括半导体设备等16个项目



6月28日,赣州经开区举行集中签约仪式,签约16个项目,总投资达73.8亿元,主要是集中签约涵盖半导体装备、互联网+平台、总部经济、文化旅游、有色金属等领域的项目。



其中,签约的无锡迪渊特科技有限公司半导体先进装备中心项目总投资20亿元,建设半导体设备再制造及设备贸易、辅助设备研发、生产制造及销售等项目。除此之外,还签约了总投资35亿元童话大王家庭娱乐中心项目、新型稀土永磁材料生产项目、“互联网+外贸”项目、新能源产业数据智能互联网平台等16个项目。



“迪渊特科技联合5家半导体设备再制造领域的行业龙头,组成产业联盟到经开区投资半导体设备中心项目,期间我们亲身体会到赣州经开区优质的营商环境,今后,我们还会吸引更多的企业到经开区投资发展,着力建成全国知名半导体先进装备和材料集散基地。”无锡迪渊特科技有限公司总经理王迪杏说。



赣州经开区2020上半年,招商185次、40余次视频对接,实现签约项目61个、签约资金565.59亿元,下一步将重点围绕芯片设计、晶圆制造、芯片封测、装备制造和贸易等企业招商,全力打造半导体全产业链集群。



 



 



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20200629行业新闻汇总

每日新闻sunny 发表了文章 • 0 个评论 • 60 次浏览 • 2020-06-29 09:28 • 来自相关话题


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得一微荣获2020年度中国IC设计成就奖之最佳存储器大奖!



6月28日,得一微电子在2020年度中国IC设计成就奖评选活动中,脱颖而出,凭借YS9203存储控制芯片一举获得最佳存储器大奖!



得一微电子此次参选的存储控制芯片YS9203,是一款面向旗舰消费级以及轻企业级应用的PCIe Gen3x4 SSD主控,支持3D MLC/TLC/QLC NAND,其连续读写速度高达 3500/3200 MB/s,4K随机读写速度可达800K/800K IOPS,超强性能业界领先。拥有8通道传输速度与可支持64CE的高规格能力,在当下这个大数据时代,可以很好的支持和满足日渐增高的数据应用需求。



  



YS9203采用自主研发的LDPC&NVMe IP,支持国密SM2/SM3/SM4,TCG OPAL,提供最完整及最稳定的资料保护,满足存储设备所需的高效稳定的需求。公司提供的一站式解决方案和定制化服务,帮助客户打造更高的资源利用效率、更可靠的存储系统。



中国 IC 设计成就奖是中国电子业界最重要的技术奖项之一,已连续第19年举办。2020 年度中国 IC 设计成就奖旨在表彰那些在中国大陆IC设计界占领先地位或展现卓越设计能力与技术服务水平以及极大发展潜力的最佳公司,同时也表彰他们在协助电子设计工程师开发电子系统产品方面所作的贡献。此次,得一微电子YS9203存储控制芯片获得行业认可,拿下重量级奖项,是对得一微电子技术实力和市场表现的肯定。





 



企业级SSD、智能手机、个人电脑等是闪存的主要驱动力,游戏、云服务拉动SSD需求,预计到2024年SSD需求将占整体闪存总量的57.7%。正是顺应这一市场趋势,得一微夯实存储控制技术,并延展推出存储整体解决方案,将在接下来的市场表现中大放异彩。



深圳市得一微电子有限责任公司(YEESTOR Microelectronics Co., Ltd) 由深圳市硅格半导体有限公司(成立于2007年)发展而成,总部位于深圳,在香港、台湾、合肥、广州设有分支机构。得一微电子为消费级、企业级和行业客户提供存储控制芯片、行业级存储模组、IP及设计服务在内的一站式存储解决方案。



13年技术积累和业务拓展,得一微电子建立了从通用存储(USB/SD)、嵌入式存储(UFS/eMMC/SPI-NAND)到SSD(SATA/PCIe)存储的完整存储产品线,累计出货超10亿套。



全流程的品质管控体系,按照ISO9001的标准,覆盖从存储介质特性分析,到存储控制器及其固件的开发,到各类存储模组设计、封装、生产、测试和售后服务环节。



得一微电子掌握业界多项关键技术,已获得授权发明专利162项,拥有所有存储控制器的核心IP,提供存算一体解决方案,满足AIoT及数据中心的应用挑战。



 



美光告联电窃密案:涉嫌人员被列入逮捕名单,联电回应



据彭博社报道,美国旧金山法院在当地时间6月24日发出逮捕令,将涉嫌窃取美国存储大厂美光 DRAM 技术商业机密案的三位嫌疑人列入逮捕名单,这三名人员分别为福建晋华集成电路总经理陈正坤,美光跳槽联电的工程师何建廷和王永铭。何建廷早已离开,王永铭则仍联电工作。



在周三一场为时3分钟的听证程序中,上述三人未能出庭作证,于是旧金山的一位联邦地方法官发布了针对这三人的逮捕令。



助理检察官霍恩(Laura Vartain Horn)表示,在上周一和被告律师交谈后,得知三名被告将不会出庭,于是向法官申请了逮捕令。对被告逐一发布逮捕令,是适当的行动,也符合政府要求。



白领刑事诉讼辩护律师 Calvin Lee 表示,由于美国司法部宣布依据特别倡议把此案定义为特别诉讼,因此可能存在政治压力,要求对此案采取行动。



2018年11月2日,美国司法部宣布以“经济间谍罪”对台湾联华电子、福建晋华集成电路两家公司,以及晋华总经理陈正坤以及其他两位联电主管,提起了刑事和民事诉讼,指控这三人涉嫌窃取美国DRAM技术商业机密。



最终,台中地院2020年6月宣判,以违反商业机密法等罪将何建廷判刑5年6个月,罚金500万新台币;王永铭4年6个月,罚金400万新台币;联电协理戎乐天判刑6年6个月,罚金600万新台币;联电被判处罚金1亿元新台币。



联电表示将依法提起上诉,并强调并未违反营业秘密法,将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。



至于美国法院对涉嫌人员采取的逮捕令,联电回应表示,不便评论离职人员,相关案件仍会提起上诉。



联电指出,这次主要是针对个人部分,与公司无关,无法替3人发言;至于公司美国诉讼案,目前尚在法律程序中,不便评论。



 



长江存储:存储解决方案+技术品牌双通道,加强自有品牌塑造



近日,长江存储联席首席技术官程卫华证实,长江存储自有品牌的系统解决方案,将从今年下半年陆续推出,包括面向个人消费者、OEM客户、企业级 SATA SSD、PCIe SSD 等,面向手机、平板、游戏机、电视机顶盒的eMMC产品,以及面向高端智能手机的UFS产品等。



2019年9月长存储基于独家的 Xtacking 架构,研发出来的的64层3D  NAND 芯片正式量产,打破国内闪存芯片“零自主”的局面,并在今年4月推出了128层TLC和QLC两款产品,核心参数性能均业界领先。



作为IDM厂商,长江存储除了设计、制造端跨足到自有品牌的打造,程卫华还表示,未来会将Xtacking技术以技术品牌的形式,与合作伙伴进行推广。



对于存储市场未来发展,程卫华称,从全球市场综合发展来看,企业级SSD、个人电脑和智能手机将是未来闪存市场增长的主要驱动力。预计到2024年,SSD的需求会占闪存总需求的57.7%,智能手机占27.0%。对长江存储而言,市场的容量足够大,机会足够多,还有很多高速率低延时的应用还未被充分开发出来,长江存储的加入将为市场带来新活力。



 



京东方:拟投资132亿元于三地建设智慧系统创新中心及智慧医院



京东方发布最新公告称,拟投资60亿元于成都市高新西区建设京东方(成都)智慧系统创新中心项目;其中注册资本金 30 亿元(项目公司初始注册资本 5,000 万元,公司向下属全资子公司京东方智慧科技有限公司增资 29.5 亿元,京东方智慧科技有限公司向项目公司增资 29.5 亿),项目总投资与项目公司增资完成后的注册资本的差额由项目公司通过融资解决。项目计划于年内开工,分三期逐步实施。



拟投资48亿元于重庆市两江新区建设京东方(重庆)智慧系统创新中心项目;其中注册资本金 24 亿元(项目公司初始注册资本 5,000 万元,公司向下属全资子公司京东方智慧科技有限公司增资 23.5 亿元,京东方智慧科技有限公司向项目公司增资 23.5 亿元),项目总投资与项目公司增资完成后的注册资本的差额由项目公司通过融资解决。项目计划于年内开工



拟总投资24亿元于江苏省苏州市吴江区建设苏州京东方医院项目。包括收购金额及后续改造等相关投资。根据苏州市吴江区人民政府国有资产监督管理办公室核准备案的资产评估报告,苏州市吴江经济技术开发区人民医院资产评估值约为 15.98 亿元,最终收购金额以摘牌价格为准。京东方向下属全资子公司京东方健康投资管理有限公司(以下简称“京东方健康”)增资 15 亿元,再由京东方健康向苏州京东方医院有限公司增资至 15 亿元,作为项目注册资本。注册资本与项目总投资的差额由苏州京东方医院有限公司通过融资解决。项目计划于 2020 年完成资产摘牌并启动改造,2021年完成改造并投入运营。



 



格芯意欲在美扩产晶圆产能,从装机到投产预计约14个月



据媒体报道,格芯CEO Tim Caulfield日前受访表示,“该公司目前正在考虑两种途径在美国扩展晶圆产能计划。” 格芯可能将在既有纽约州Malta地区既有晶圆厂Fab 8购置新机器设备提高产能,抑或是在Fab 8附近另外新建一座全新晶圆厂,目前新厂建地已经成功取得。



Tim Caulfield进一步指出,“具体扩展计划取决于客户需求,以及美国最终是否通过最新提议之美国半导体产业经济刺激补助法案等最终结果。”



格芯预期该公司2020年全年营收表现持平,约达55亿美元规模,而在2019年以6亿美元代价脱手旗下客制化芯片业务给Marvell科技之后,格芯预计今年展望营收前景恐将低于先前预估60亿美元规模以下。



有鉴于此,格芯先前预定的2022年股票公开上市时程,也表态可能将延后到2023年才计画IPO上市,届时Mubadala发展公司虽仍将掌握多数股权,但将释出部分股票公开交易以筹措更多资金运用。



不过,现阶段格芯仍旧在美国地区维持两大晶圆厂设施,其一位于佛蒙特州(Vermont)的Burlington;另一座晶圆厂则位于纽约州Malta地区的Fab 8,后者晶圆厂楼地板面积仍有大约3成至4成左右的空间尚未充分运用,因此足以提供格芯采购设备、进一步加快脚步装机导入投产进程,格芯执行长估计,Fab 8既有晶圆厂从装机到扩产的时间约需12到14个月时间,所需资金约在90亿美元以内。



 



 



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爆发性增长的移动固态硬盘

SSDtestssd 发表了文章 • 0 个评论 • 33 次浏览 • 2020-06-28 06:46 • 来自相关话题



移动存储设备的需求近年来一直是爆发性增长的模式,而随着5G物联网的逐渐普及,这种现象将被进一步拉大,而近两年存储设备的价格也开始逐渐亲民,对于移动存储产品大家都开始“抛弃”U盘和机械盘开始购入了移动固态硬盘,它的价格要高于前者,但是与SATA SSD齐肩的速度也是值回票价,那移动固态硬盘为啥能够有如此高的速度呢?



金存KS20





透过现象看本质 为啥它能这么快?



我们常见的2.5寸移动硬盘虽然容量大,但在性能、重量、体积上还是无法与1.8英寸的移动固态硬盘相比,U盘虽然体积小但是性能和容量却比移动固态硬盘也掉了一个档次。



不难理解,移动固态硬盘是以闪存颗粒做为存储介质,计算机之间交换大容量数据,强调便携性的存储产品,一般采用USB3.1等传输速度较快的接口,以实现其较高的数据传输速度,目前USB3.0的理论最高传输5G速率已经能够达到400MB/s。USB3.1的理论最高10G传输速率已经能够达到900MB/s,SATA SSD 的理论最高6G传输速率已经能够达到550MB/s 。





由于其采用的存储介质与SATA SSD一样,所以其拥有IDE硬盘无法比拟的读写速度,现如今移动固态硬盘的读写速度已经能够达到500MB/s以上,而普通的移动硬盘则与IDE硬盘的工作机制类似,所以速度在100MB/s上下浮动,目前市面上所售的主流移动硬盘就是以标准的IDE硬盘为基础,只有少部分的1.8英寸移动硬盘采用固态硬盘作为存储介质,比如金存KS20移动固态硬盘,所以它才能有这么高的速度。



体积小、容量大



的确,说的再好听要是没有能拿出手的真货,让消费者掏钱还是不容易的,那移动固态硬盘还有哪些优势值得我们花钱买它呢?



得益于金存采用得一微电子的技术的发展,目前金存移动固态硬盘已经能够提供从128GB到512GB等多种容量选择,方便在消费者能够接受的范围之内有更多选择,再加上近两年来存储产品价格的大幅下降,移动固态硬盘的整体优势要大幅领先于U盘等产品。





1.8英寸 方便携带



一般主要的移动硬盘尺寸是1.8英寸和2.5英寸,2.5英寸移动硬盘在外出携带时方便性要大大低于1.8英寸的移动硬盘,金存采用特殊的设计,长47mm,要比你的名片还小四分之三,重量为16g,拿在手里、装在口袋里是完全感受不到它的存在,但它却实实在在的最高能给你带来512GB的存储容量。



目前主流的笔记本或者主机都已经配备了Type-C和Type-A接口,并且不再需要单独的安装驱动,真正做到即插即用,金存也是配备了Type-C和Type-A两种接口的单数据线来满足消费者所有的使用场景。



高颜值、高安全



对于移动存储产品,消费者首先关心的肯定是产品的安全指数,数据保密性、稳定性等因素会直接反应在销量上,无论是闪存物理质量或者是搭载的安全管理软件其作用都是相当重要,这也正是移动固态硬盘在移动存储产品市场上一直占有一席之地的重要原因。





由内到外的安全



以金存为例采取了得一微电子的独有的单芯片解决方案技术,采用全金属机身并且没有一个可以活动的零部件,即使从十米的高度跌落也完全不会对金存造成任何损坏,很是抗造, 绝对确保数据文件安全,除了PC和Mac版本以外,还有支持智能手机和平板电脑的移动端可供选择。



所有产品的发展逻辑都是始于性能,追求与颜值,随着存储技术的不断成熟,消费这开始对移动固态硬盘的颜值开始有而来时尚的要求,所以我们可以看到,移动硬盘的外观除了体积上越来越小以外,其材质的手感,色彩搭配也都变得也变得越来越好看,推出玫瑰金和曜石黑 足够惊艳,但在颜值至上的时代,为了能够给消费者提供更多选择。



欢迎大家进店去了解金存存储的产品



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这几年为什么移动固态硬盘会越来越红火 

SSDtestssd 发表了文章 • 0 个评论 • 43 次浏览 • 2020-06-27 08:39 • 来自相关话题

这几年为什么移动固态硬盘会越来越红火  在十年前,如果想要买一块移动硬盘,那么我想你会毫不犹豫的买一块移动机械硬盘,要考虑的问题大概是硬盘 ...查看全部

这几年为什么移动固态硬盘会越来越红火 




在十年前,如果想要买一块移动硬盘,那么我想你会毫不犹豫的买一块移动机械硬盘,要考虑的问题大概是硬盘转速/硬盘尺寸等问题,因为移动硬盘太大了真的很占地方,而且怕摔,真的很令人担心,那会的价格大约在512GB 600元左右。





今天,十年过去,我们对于移动硬盘的容量需求变化并没有很大,512GB依旧是主流需求,但是更小巧、便携、抗摔、速度更快的移动固态硬盘已经逐渐成熟,价格开始大幅降低,所以消费者对于移动硬盘的选择不再单一。



 



目前来看,普通消费者常见的硬盘大致可以分为三类:分别是机械硬盘和固态硬盘以及混合硬盘三种类型。机械硬盘是采用磁性碟片来进行数据存储,固态硬盘是采用闪存颗粒来进行数据存储,混合硬盘顾名思义就是将磁性碟片和闪存颗粒集成到一起的一种硬盘。



移动硬盘与之类似,目前主流的移动硬盘只有移动硬盘和移动固态硬盘两种类型,不过在本质区别上普通硬盘和移动硬盘都是一样的。传统的移动机械硬盘读取速度平均在100MB/s左右;移动固态硬盘的读写速度均在400MB/s以下,金存最新推出的KS20已经能够达到550MB/s的强悍成绩。



那么问题来了,同样是移动硬盘,二者为何有如此差异?



本质区别:工作原理的差异



机械硬盘整体构造十分精密,没有读写次数的限制,工作原理类似于光驱,通过磁头来寻找高速旋转盘片上的信息,来完成数据交换工作。虽然没有读写次数的限制,但是由于自身机械结构的缘故,长久使用之后,它内部的机械结构会出现老化的现象,甚至会出现读盘噪声过大、寻道时间变长等现象发生。最终使硬盘的读写速度变慢,性能开始下降,可以说机械硬盘的本质结构带来了它性能的缺陷。



 



 



某移动机械盘与金存KS20



固态硬盘由闪存颗粒来存储数据,闪存颗粒就是用内部的按照特定顺序排序的电荷代替了机械硬盘存储数据的盘片,通过主控芯片控制其不断的放电/充电来进行数据的读写和擦除。基于固态硬盘独特的内部结构,更加先进、科学的工作原理,所以在读写性能方面要远远超过机械硬盘。目前金存存储最新的移动固态硬盘KS20采用USB 3.2 Gen2传输接口和Sata传输协议,传输速度已经达到了550MB/s以上,与传统的移动机械硬盘相比,提升非常明显,有着将近十倍的差距。熟悉了工作原理和性能差别以后,我们再来看一下二者的寿命区别。



使用区别:寿命设计的差异



移动机械硬盘的寿命一般按年计算,一般硬盘厂商的质保时间都是3到5年左右,当然这不意味着你的硬盘只能使用这个时间,而是超出这个时间后硬盘会出现运行噪音/发热过快/性能下降等现象,根据普通消费者的使用习惯来看,在非物理损坏的情况下使用两个保质期的时间是完全没有问题的。



 



至于移动固态硬盘,源于闪存结构的特殊性,其寿命的判定标准一般是按照闪存颗粒的写入次数或者是写入容量来进行计算。根据闪存芯片类型的不同(SLC、MLC、TLC)固态硬盘读写可达到1-10万次,使用寿命最短区间也可以达到5-10年,然后根据闪存类型依次减少,容量随之相应提高。同机械硬盘按照时间来计算寿命一样,固态硬盘的寿命也并不是写入次数或者写入寿命用尽以后,就无法使用了,因为闪存是由很多存储单元组成,假设某款移动固态硬盘可以写入2000次,那就是这个移动固态硬盘里的每个存储单元都可以写入2000次,而不是这款产品只可以写入2000次,即使某个存储单元坏掉,其它存储单元也是可以正常工作。



绝对优势:协议革新导致性能差异



移动固态硬盘与移动机械硬盘相比,除了在抗震防摔和工作温度等方面的优势以外,移动固态硬盘的最大和最终优势,其实是性能方面的领先。目前普通的移动机械硬盘速度仅为100MB/s+,现在金存移动固态硬盘KS20已经可以达到550MB/s+的顺序读取速度,差距在4到5倍之间,随着内容创作者时代的到来,移动硬盘已经成为了标准的生产力工具,所以更高效率的移动固态硬盘自然更受欢迎。



 



至于二者之间性能差异的背后,其实是传输协议和闪存品质的差异。



目前主流的移动固态硬盘采用的是SATA SSD执行的AHCI协议标准,这是最成熟、主流的解决方案,传输带宽限制为6Gbps,采用AHCI协议。再加上它USB 3.2 Gen2传输接口的背书,由此实现了550MB/s+的传输速度。这是普通移动固态硬盘硬盘所无法达到的成绩,移动机械硬盘更是无法与之相比。



从移动机械硬盘,出现的支持AHCI协议的SATA接口移动固态硬盘,十年来,金存一直致力于在移动硬盘行业进行功能和设计的全面创新,而如今传输速度达到550M/S,提供单芯片解决方案可谓是开创了一个新的移动存储时代。



金存京东官网:https://kingstore.jd.com



 



20200624行业新闻汇总

每日新闻sunny 发表了文章 • 0 个评论 • 55 次浏览 • 2020-06-24 09:24 • 来自相关话题


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中欧投资协定谈判争取年内完成



据新华社报道,国务院总理李克强22日下午在人民大会堂同欧洲理事会主席米歇尔、欧盟委员会主席冯德莱恩共同主持第二十二次中国-欧盟领导人会晤。会晤通过视频方式举行。



李克强表示,中国和欧盟互为全面战略伙伴,双方合作远大于竞争,共识远多于分歧。中方高度重视对欧关系,习近平主席将同你们举行视频会见。建交45年来,中国同欧盟的关系保持了合作主基调,增进了双方人民的福祉,也为纷繁复杂变化的世界注入了更多稳定性。中方始终支持欧洲一体化进程,希望看到一个团结、繁荣的欧洲。双方应当从长远的角度、从更广阔的视野看待中欧关系,坚持中欧全面战略伙伴定位,通过加强对话增进理解,通过深化合作实现互惠共赢,共同为维护世界和平稳定与发展繁荣作出贡献。



李克强指出,中欧同为世界主要经济体。面对新冠肺炎疫情带来的巨大冲击,双方应当加强宏观经济政策协调,共同维护中欧和全球产业链供应链稳定,为世界经济复苏提供动力。争取年内完成中欧投资协定谈判,达成一项全面、平衡、高水平的投资协定。早日签署中欧地理标志协定。中国坚定不移走和平发展道路,坚定不移扩大开放,致力于为各国企业创造市场化法治化国际化的营商环境,欧洲企业已经从中获益。希望欧方同样保持贸易和投资市场开放,放宽对华出口限制,便利双边高技术贸易。中欧在平等互惠和相互尊重基础上扩大双向开放,可以更好实现互利共赢。



李克强表示,中欧都支持多边主义和自由贸易。我们愿同欧方在世界贸易组织改革等问题上保持沟通,共同维护以规则为基础的多边贸易体制,建设性参与应对气候变化多边进程,不断充实中欧全面战略伙伴关系的内涵。



 



西部数据Gold 18TB SATA HDD开始销售,售价超4000



近日,Western Digital已开始在零售市场销售其WD Gold系列企业级16TB(WD161KRYZ)和18TB(WD181KRYZ)。



Western Digital两款HDD产品均采用3.5寸标准形态,SATA3接口,磁记录方式为CMR/PMR(垂直磁记录),7200转。耐用性方面,平均无故障时间250万小时,18TB还专为7x24小时工况优化,支持组RAID阵列。



https://www.chinaflashmarket.com/Uploads/image/2020/06/23/UEN.jpg



英国市场16TB和18TB产品含税价格分别是578美元(约合4089元)和648美元(约合4585元)。



虽然SSD正在逐步取代HDD市场,但是随着数字经济的快速发展,信息技术的推动,使得数据存储需求不断增加,且长期备份、保存数据等应用对HDD大容量的需求不断增加,西部数据18TB容量的SATA HDD产品可满足海量数据存储需求。



 



金士顿企业级DC1000 U.2 SSD,开始销售7.68TB容量



金士顿开始销售数据中心DC 1000M系列7.68 TB容量NVMe PCIe SSD,金士顿DC1000M系列产品是于2020年3月发布的产品。



金士顿DC1000系列是2.5英寸U.2 NVMe SSD,也是首次进军主流数据中心U.2市场领域,使用Silicon Motion的SM2270控制器,16通道设计,基于Kioxia 64层BiCS3 3D TLC。



https://www.chinaflashmarket.com/Uploads/image/2020/06/23/3153313.jpg



金士顿为DC1000系列SSD容量范围从960GB到7.68 TB,其中7.68 TB版本能够实现高达3,100MBs / 2800MBs的顺序读取/写入速度,以及高达485,000 / 210,000 IOPS的稳态4k读取/写入速度,还有包括断电、端到端路径保护、遥测监控等功能,以确保提高数据可靠性。



 



环球晶考虑赴美设厂,前提是客户提具体承诺并预付款预订产能



硅晶圆大厂环球晶今 日召开股东会,董事长徐秀兰表示,目前所有扩产均以台湾厂为主,但在客户提出具体承诺,以预付款先预订新厂产能的前提下,会考虑在美国设厂;而韩国新厂受疫情影响,进度稍微递延,第 2 季已小量生产,目标年底前全产能生产。



由于台积电日前宣布将在美国亚利桑那州设厂,也将在美国厂旁另辟园区,让台湾下游厂商一同在当地设厂,并透露下游厂商有意愿前往。环球晶也是台积电硅晶圆供货商之一,目前在美国有 2 座厂,分别位于德州与密苏里州,一座为磊晶厂、另一座为 SOI 厂,产能都不小,服务范围包括全球,不仅限当地客户。



徐秀兰表示,由于 2 座厂均为特殊厂,若美国客户要下单 12 吋晶圆,还是要从环球晶其他厂区如日本、韩国厂出货,但若美国客户要求在美国设长晶厂,环球晶在当地的 2 个厂区,也有成熟的营运团队、土地空间可因应。



徐秀兰指出,以成本效益来看,仍希望多在台湾厂区生产,所有扩充均以台湾厂为主,再来就是亚洲地区;若客户坚持要在美设厂,能以类似韩国二厂建厂的形式,以预付款先预订新厂产能,在客户提出具体承诺的前提下,就会同意在当地设厂。



韩国厂方面,二厂去年第 4 季已竣工,将生产 12 吋硅晶圆。不过,徐秀兰表示,由于工程师出差受限防疫隔离措施,使装机进度受到疫情影响,第 2 季已开始小量生产,目标为力拼年底前全产能生产。



 



佳能7月发售半导体光刻机新品,可应对大型方形基板且解像力达1.0微米



佳能将在2020年7月上旬发售半导体光刻机的新产品——面向后道工序的i线2步进式光刻机“FPA-8000iW”。该产品具备对应尺寸最大到515×510mm大型方形基板的能力以及1.0微米3的高解像力。



https://www.chinaflashmarket.com/Uploads/image/2020/06/23/9.jpg



该款新产品是佳能半导体光刻机产品线中,首个可对应大型方形基板的面向后道工序的光刻机。该产品配备佳能自主研发的投影光学系统,在实现大视场曝光的同时,还能达到1.0微米的高解像力。因此,在使用可降低数据中心CPU或GPU等能耗的有机基板的PLP4封装工艺中,新产品将可以实现使用515×510mm大型方形基板进行高效生产的用户需求。由于该产品具有高解像力、大视场曝光性能以及高产能,因此在实现半导体封装5的进一步细微化和大型化的同时,还可以降低成本。



■ 可满足高产能大型基板的封装需求



为了满足使用方形基板进行封装工艺的需求,佳能开发了可以搬送515×510mm大型方形基板的新平台。另外,针对在大型方形基板上容易发生的基板翘曲的问题,通过搭载新的搬送系统,可在矫正10mm大翘曲的状态下进行曝光。因此,新产品实现了高效生产大型半导体芯片的PLP工艺,可应对要求高产能的用户需求。



■ 实现1.0微米的解像力,对应高端封装



佳能自主研发的投影光学系统可实现52×68mm的大视场曝光,达到了方形基板封装光刻机中高标准的1.0微米解像力。因此,实现了应对半导体芯片的高集成化、薄型化需求的PLP等高端封装工艺,且可满足各种用户需求。



 



 



 



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20200623行业新闻汇总

每日新闻sunny 发表了文章 • 0 个评论 • 61 次浏览 • 2020-06-23 09:25 • 来自相关话题


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三星投资扩产不断,消息称平泽P3新厂9月开建



受“疫情”影响全球经济受挫,2020年半导体产业暂时成长受阻,但是长远来看,半导体市场依然可观,消息称三星电子正在将韩国平泽工厂建设成为一个综合性的大型半导体生产基地,准备将在9月份启动P3工厂建设项目。



据韩媒报道,三星电子正准备在平泽市建设P3工厂,计划在9月开始建设,目前正在准备前期项目施工的相关事宜。据悉该工厂的生产制造规模要比P2工厂更大,根据一般Fab工厂建筑完工大约需要一年,预计P3工厂将在2021年Q3竣工,投入量产时间将从2021年底开始,至于新工厂建成后具体投产计划,还未确定,需根据市场需求变化而决定。



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2021年前总投资30兆韩元,三星平泽建设项目接踵而至!



早在2017年,三星就制定了一项长远发展目标:2021年前在韩国平泽的总投资将达30兆韩元(约247亿美元),用于扩大生产制造能力。因此,近几年三星持续不断兴建项目,扩大平泽生产基地的投资。



最初,三星是在2015年投资百亿美金在平泽兴建存储器工厂(P1),这是一栋2层楼建筑,Wafer满载产能分别约10万/月和20万/月,现投产先进NAND Flash和DRAM,包括10nm级LPDDR5/DDR5和GDDR6 DRAM芯片,以及量产第五代和第六代V-NAND。



目前,三星P2工厂是以P1工厂规模于2018年投资建设,2019年完成建筑工程,是NAND Flash和DRAM混合产线。2020年上半年进行设备安装,用于批量投产第二代(1ynm)和第三代(1znm)10nm级DRAM,同时还建设一条极紫外光刻(EUV)生产线。



今年6月,三星电子再次宣布扩大平泽NAND Flash生产能力,投资8兆韩元(约合66亿美元)在P2工厂内新建NAND Flash产线,计划2021年下半年开始量产先进的V-NAND芯片,以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。



另外,三星2019 年宣称到2030 年之时在非存储器的系统半导体领域将投资133 兆韩元(约1097亿美元),目标是成为全球系统半导体市场的龙头。



代工业务扮演重要角色,未来10年三星与台积电竞争将更加激烈



受“疫情”持续影响,2020下半年数据中心、PC等需求预期较之前有所降温,再加上国际贸易紧张关系对华为手机等业务的影响,让业内人士对存储产业Q3看法保守,但这也只会是短暂现象,从长远来看,5G、人工智能、汽车电子等技术发展,存储产业依然会保持强劲的增长趋势。



三星一直是存储器市场龙头企业,2020年Q1在NAND Flash市场占有率32.5%,在DRAM市场占有率44.7%。三星除了扩大在平泽工厂生产,也在扩大中国西安工厂的建设,继西安一期投产后,二期一阶段工厂产品正式在今年3月下线上市,主要生产第五代9X层3D V-NAND芯片,同时建设西安二期第二阶段项目,2021年下半年竣工,满足中国市场当地客户需求,以及满足全球不断增长的需求。



与此同时,三星也在加速其非存储器的系统半导体投资战略“ Vision 2030” 的成形。在晶圆代工领域,全球晶圆代工台积电市场市占率超过50%,三星虽位居第二,但市场份额不及台积电一半,也一直不甘心位居第二,未来10年将与台积电展开激烈竞争。



受美国“禁令”进一步提高管制的影响,华为供应链再次遭遇困境,台积电正为华为海思赶制订单,传已停止投片,可望在美国新出口禁令生效前交付,中芯国际也曾表示有可能不能为“某些客户”代工,这让三星与华为合作可能性大增,对于三星而言有利于扩大晶圆代工业务。



为了与台积电竞争,自台积电宣布在美国亚利桑那州建立晶圆代工厂的计划之后,三星便也在韩国华城增加一条新EUV专用生产线,计划于今年下半年批量生产5nm EUV工艺。同时,三星计划投资80亿美元在平泽新建晶圆代工生产线,专注于基于EUV的5nm及以下工艺技术,预计将于2021年下半年全面投入生产,未来半导体的代工业务将扮演三星重要角色。



 



七彩虹发布国产内存条:采用长鑫DDR4内存颗粒,6月底上市



继日前联合江波龙发布全球最小尺寸SATA SSD SL500 Mini之后,七彩虹今日正式推出“国创·战戟”系列国产内存条产品,采用合肥长鑫的DDR4内存颗粒。



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七彩虹旗下内存产品目前可分为四个档次:其中战斧系列是普通入门级的马甲条;国创·战戟系列是面向中低端市场的裸条,全系列标配国产颗粒;CVN系列为高端灯条,支持五大主板平台ARGB同步;iGame系列则是主打玩家定制,定位于旗舰电竞市场。



七彩虹国创·战戟系列国产内存第一批有两款产品,分别为战戟DDR4 8GB 2666MHz、战戟DDR4 8GB 3000MHz,第二批将增加单条16GB容量。



上市时间预计在六月底,届时将公布售价。



 



韩媒:二季度三星电子营业利润将达6.17万亿韩元,环比下降4.3%



韩媒报道,三星电子预计第二季度的销售额为54.23万亿韩元(450亿美元),环比下降2.0%,营业利润为6.17万亿韩元(51亿美元),环比下降4.3%。



报道称,按部门划分,预计半导体业务的营业利润将达到5.49万亿韩元,环比增长37.7%;IT和移动通信(IM)业务将达到1.10万亿韩元,环比降低58.2%;消费电子(CE)部门营业利润达0.21万亿韩元,环比降低54.2%;显示器业务亏损预计扩大至0.63万亿韩元。



展望第三季度,报告预计三星电子营收将大幅回升,预测为64.12万亿韩元,环比增长18.2%;营业利润达9.44万亿韩元,环比增长53%。此外,预计三季度COVID-19全球流行趋缓之后,显示器和智能手机业务有机会较上季度改善。



 



基于鲲鹏920的服务器在宁波投产下线,预计产能5万台/



日前,东华软件与华为联合宣布,基于鲲鹏处理器的“鹏霄”服务器在宁波高新区正式投产下线,预计未来每年产量将突破5万台。



据了解,“鹏霄”服务器宁波生产线的投产,将填补宁波核心计算设备制造的空白,也标志着宁波鲲鹏生态产业打造又向前迈进了一大步。



早在1月9日华为与东华软件曾联合宣布,基于华为鲲鹏处理器的鹏霄服务器正式面世。当时,首批鹏霄服务器已完成与操作系统、数据库、中间件以及扫描仪、打印机等软硬件设备的兼容适配,且已在宁波市政务云中心应用。



“鹏霄”DHC-NB920系列服务器是基于华为鲲鹏920处理器开发的2U双路机架服务器,不论是从能耗,还是运行效率上,相比同类产品均有大幅提升。未来,“鹏霄”服务器将被应用于银行、金融、数字媒体、游戏引擎等领域。东华软件将把该服务器作为全国范围内的唯一品牌。



随着“鹏霄”服务器生产线项目的正式投用,鲲鹏生态产业园的建设也进入加速阶段,宁波鲲鹏生态创新中心已启动装修,大楼预计在今年8月底交付投用。



 



百度加大新基建投入:2030年百度智能云服务器将超500万台



日前,百度宣布,未来十年将继续加大在人工智能、芯片、云计算、数据中心等新基建领域的投入。预计到2030年,百度智能云服务器台数超过500万台。



这一投入将更好地满足各行各业产业智能化升级中对高性能计算的需求,为中国智能经济发展提供强有力的算力底座支撑,同时也表明百度长远坚定布局AI新基建的决心。



当天,百度还宣布未来5年预计培养AI人才500万,为中国智能经济和智能社会的发展提供AI人才保障。



目前百度拥有涵盖北京、保定、苏州、南京、广州、阳泉、西安、武汉、香港等10多个地区的数据中心。此次百度在服务器、数据中心布局上的动作,将使更多地区和企业享受到新基建带来的智能化红利。



 



注明:该文章内容出自【中国闪存市场】


20200622行业新闻汇总

每日新闻sunny 发表了文章 • 0 个评论 • 70 次浏览 • 2020-06-22 09:09 • 来自相关话题


重点新闻详细内容、




日媒:东芝计划逐步出售其拥有的Kioxia股份



据日经亚洲评论报道,东芝计划逐步出售其拥有的Kioxia的股份,以保证公司的收益。



Kioxia的前身是东芝存储(Toshiba Memory),2018年东芝将其剥离出去,并以大约2万亿日元的价格出售给以贝恩资本为首的企业联盟,贝恩资本持有Kioxia 49.9%的股份,东芝持有Kioxia 40.2%的股权,是最大股东之一。



2019年受NAND Flash价格剧烈波动,以及Kioxia四日市存储基地断电导致晶圆损失,导致Kioxia在2019财年亏损严重,同时也拖累东芝财报亏损。



据了解,Kioxia计划于10月在东京证券交易所上市。上市后,东芝将出售其拥有的40.2%的股份,出售的税后收益的一半以上将退还给股东。Kioxia的市值有望达到数万亿日元,这将为东芝带来丰厚的回报。



不过,对于出售细节,例如股票数量,目前尚未确定。



 



“借壳”SONY?群联加快布局高端品牌市场



6月18日,存储器主控厂商群联公告表示,计划投资日本SONY存储部门(Sony Storage Media Solutions Corporation,SSMS)的旗下子公司NEXTORAGE,依照规划,群联持股约49%,日本SSMS将持股51%,并由日本SSMS团队主导公司营运与策略方向,群联支援其技术开发及系统整合。



此次投资对群联来讲可谓一箭双雕,首先,凭借索尼在高端影像市场的品牌影响力,意味着群联在高端品牌市场加大布局,尤其是特殊高端录影及影像市场;其次,通过索尼在日本成熟的团队资源,更好的服务日本当地客户,提升服务品质。



群联专注存储市场,“借壳”SONY,不断向高端市场深入



群联一直深耕存储产业,2019年全年合并营收446.93 亿元新台币(约15.1亿美元),同比增长近10%,税后净利新台币45.45 亿元,EPS新台币23.05元,创下历史第三高。2020年即使遭遇“疫情”影响全球经济成长,前5个月累计营收达203.51亿元新台币(约6.9亿美元),年增将近30%。



群联业绩表现突出,除了SSD、eMMC等控制芯片出货持续成长,随着5G科技的不断发展,如汽车电子、人工智能、高清影像、智能居家、物联网等对存储需求的不断增加,在工控高阶市场表现也不俗,保证了其产品的高价值、高利润,并使其业务进一步扩大,成长潜力增强。



群联董事长潘健成表示,SONY是高端数位影像处理的领导者。此次与SONY合作,主要为配合SONY开发高端影像存储产品,专注高度定制化应用存储市场,而群联也可藉此增加在日本当地的研发资源,支援服务日本客户,是群联长期秉持的双赢合作模式。



群联主要是看好市场,在次世代高阶数字影像发展趋势下,及网络影音创作者需求不断上升,近几年兴起内容创作者新行业,透过拍摄各种日常的生活影片、产品开箱文、美食介绍、及旅游推荐等,上传至各大社群或影音网站分享,并赚取广告分润,同时影视作品对高画质、精美等需求也在不断提升。



这类高端数码影音市场所需要的存储产品,除了高速存取以外,往往需要针对影音设备系统进行一定程度的定制化与系统优化调整。换言之,一般市面上的标准存储产品是无法完美匹配整合,也因此产生了定制化的需求缺口,如此正好通过群联深厚的技术积累,满足此类型客户的需求。



SONY存储业务几经重组与改革,摒弃低端产品后,专注高端产品 



SONY曾经是影音行业制定行业规则和技术规格的市场霸主,也曾遭遇2008年的全球金融危机,财报经历持续数年的亏损,比巨额亏损更为糟糕的是,当时的SONY已经失去了原先的品牌魅力和行业地位。



在几经重组和改革后,终于在2015年实现整体扭亏为盈。其中,存储业务也经历多次重组和调整,在2019年下半年,SONY Storage Media Solutions又将NAND Flash相关产品线独立分割给子公司NEXTORAGE,并放弃低端存储卡业务。目前NEXTORAGE主要负责生产企业用及高阶产品,主要是运营企业用SSD、eMMC及SSD等产品线范畴。



目前,SONY核心业务是图像传感器,占据全球50%的市场份额,但也一直保持着对存储产品业务的热衷,且主要专注于高阶市场。群联是重要的NAND Flash主控、模组厂商,本次入股投资,对于双方来讲都将是一次共赢,既可以为SONY存储业务注入新的活力,又能加强群联在高端品牌市场布局



 



三星副会长李在镕视察华城半导体总部



据韩媒报导,三星电子副会长李在镕周五访问了位于京畿道华城的半导体总部,以检查其运营情况。



李在镕与相关人员讨论了三星下一代半导体开发的路线图,包括存储器和片上系统,制造设施和材料的战略以及应对COVID-19影响的长期措施。



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他还参观了芯片制造研发中心,并鼓励工程师。该中心目前正在开发3纳米半导体工艺技术。李在镕表示:“这是一场残酷的危机,我们拥有未来技术的速度将决定我们的生存。我们没有时间。”



李在镕还会见了工作场所环境和安全管理团队的负责人,强调工作环境安全的重要性。



自检察官上周一要求对其发布逮捕令以来,李在镕一直在通过访问三星的主要业务并与高管会面讨论战略来表明他将重返工作岗位。



 



旺宏电子投85亿新台币升级台湾厂设备,聚焦NAND闪存技术升级



台媒报道,旺宏电子的投资审查已获批,未来将投资85亿新台币用以升级新竹科学园区12吋晶圆厂设备及提升制程良率。



旺宏除了升级制造设备及提升良率之外,还将招聘90名人才,并导入大数据与AI分析,持续投入3D NAND研发,朝192层堆栈技术推进。



近来,旺宏一直加紧布局高容量及高质量市场,在车用、5G、穿戴装置及医疗等新兴高端应用领域多所斩获,已减轻去年跌价带来的冲击。



旺宏此次斥资85亿新台币投入闪存前沿技术制程设备,将深化根基及提升国际竞争力。由于宅经济带动任天堂Switch一机难求,服务器、PC/平板、网络通信及医疗设备销售也优于预期,加上5G与智能型手机需求热度不减,可望为旺宏营运成长添新动能,在竞争激烈的内存市场中脱颖而出。



据悉,根据旺宏电子近期公布5月合并营收,意外跌落至30亿新台币之下,降至28.36亿新台币,环比减少17.3%,反映主力客户拉货动能减弱,加上NOR Flash降价杂音再起,买盘趋于观望。



 



韦尔股份:拟发行30亿元可转债募集资金,用于晶圆测试、晶圆重构及CMOS图像传感器产品升级



6月19日,韦尔股份发布公告称,公司拟公开发行可转债募集资金总额不超过30亿元,将用于晶圆测试及晶圆重构生产线项目(二期)、CMOS图像传感器产品升级、补充流动资金。



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晶圆测试及晶圆重构生产线项目由北京豪威下属子公司豪威半导体实施。项目实施地点为上海市松江出口加工区茸华路,该项目总投资183,919.98万元。本次募集资金到位后,韦尔股份将通过增资、借款或法律法规允许的其他方式将资金投入豪威半导体。



项目主要针对高像素图像显示芯片的12寸晶圆测试及重构封装,高像素图像显示芯片广泛应用于智能手机、安防、汽车、多媒体应用等领域。晶圆测试是半导体制程的其中一环,通过相应探针台与测试机对每张12寸晶圆上的单颗晶粒进行探针测试,在测试机的检测头上的探针与每颗晶粒的接触点相接触进行电性能与图像测试。测试后通过良率对照图与晶圆上的良品与不良品一一对应,以便后续制程在封装时淘汰掉不良品,降低制造成本。晶圆重构封装是对经过测试的晶圆进行背部研磨、切割、清洗等工艺,淘汰不良品后将良品重新拼装成一张全良品晶圆交付给客户。



晶圆测试及晶圆重构生产线项目建设期为30个月,项目建成投产后,将新增12吋晶圆测试量42万片/年,12吋晶圆重构量36万片/年,达产后预计项目能实现年均销售收入74,189.81万元,年均净利润20,516.49万元。



韦尔股份表示,本项目投产后,豪威科技将自行进行高像素图像显示芯片的晶圆测试与晶圆重构封装,大幅降低加工成本,优化对产品质量的管控,缩短交期并及时提供有效的产品服务,并减少委外加工比例,降低供应链风险。



同时,通过本项目的实施,引进大量的业界知名进口半导体设备,进一步提升豪威科技在半导体封装领域的技术能力,提升晶圆测试系统层面的能力以及积累创新与处理问题的能力,顺应豪威科技战略发展的需要。



CMOS图像传感器产品升级项目主要用于汽车及安防领域CMOS图像传感器产品升级研发,其中汽车领域CMOS图像传感器产品研发投入63,236.89万元,安防领域CMOS图像传感器产品研发投入57,302.29万元。本项目的建设内容主要包括办公场地装修、生产设备购置、产品开发等。



该项目建设期为36个月,项目总投资136,413.84万元,项目年均收入为189,626.35万元,税后静态投资回收期为7.77年,税后项目内部收益率为16.30%。



韦尔股份表示,通过CMOS图像传感器研发升级项目的实施,持续加大研发投入,紧跟时代步伐,对现有产品进行升级和拓展,并前瞻性的开发符合未来潮流的新产品以获取稳定的市场优势。通过本项目实施,进一步提升公司在CMOS图像传感器领域的竞争优势,有利于公司的可持续发展。



 



 



 



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