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2019年NAND Flash行业重大变革-长江存储

NandFlashtestssd 发表了文章 • 0 个评论 • 1271 次浏览 • 2019-09-19 10:19 • 来自相关话题

2019年NAND Flash行业重大变革 时间回到第一位 2018年第一季度,三星,东芝,美光等公司的NAND芯片利润率均为40%,但在第一季度之后,NAND价格开始暴跌。 据统计,NAND闪存价格在去年 ...查看全部
2019年NAND Flash行业重大变革



时间回到第一位 2018年第一季度,三星,东芝,美光等公司的NAND芯片利润率均为40%,但在第一季度之后,NAND价格开始暴跌。 据统计,NAND闪存价格在去年上半年至少下跌了50%。 据分析师称,未来每年将减少30%,直至下一轮价格上涨。  

 

 2018年的NAND市场已从上升转为下跌,这一趋势将在今年继续。 然而,2019年闪存市场的变数不仅仅是降价,新技术,新产品和中国制造商将加入。 这个市场发生了很大的变化。  

 

需求不足是不可避免的

 

 NAND闪存在2018年大幅减少的原因是大规模量产64层堆叠3D NAND闪存,实现了32层 / 48层堆栈。  64层堆栈的飞跃将每兆字节NAND闪存的成本降低到8美分,与之前的2D NAND闪存相比,每GB成本降低了21美分,降低成本使得NAND降价成为可能。  

 

 NAND闪存市场在过去几年中经历了多次行业调整。 在供过于求的压力下,市场从2015年到2016年开始下滑。2017年,市场开始一次又一次上涨,但好的情况没有按计划继续。 各大厂商竞相加强投资规模,3DNAND Flash增加了产能支撑,但市场需求持平,这也加速了2018年全球NAND Flash价格。

 

由于技术和产量瓶颈,率 3DNAND 2018年的产量改善并不像预期的那样顺利,这导致了子产品在市场之外的分布,从而干扰了市场价格。 消费者SSD市场是第一个首当其冲的终端应用。  

 

巨人过去一直是一个好债务

 

艰难的日子还没有结束,预计今年NAND闪存的价格将再下跌50%,  NAND和SSD制造商将在前两年价格上涨得到回报。  

 

最近发布财报的西部数据公司已经透露,NAND闪存的价格正在飙升。影响很大,当西部数据收入和利润在本季度下滑时,虽然NAND闪存容量出货量增长了28%,但NAND闪存价格上涨了16%,导致西部数据毛利率大幅下滑,增加 收入不增加利润,而HDD不用说,那部分硬盘业务同比下降810万台,仅剩3410万台。  

 

 NAND闪存的降价也将影响美光,SKHynix,三星,东芝等公司的财务数据,但三星,美光和SKHynix对DRAM内存的价格支持很高, 财务报告数据不会像西部数据那样。 可怕。 为了缓解NAND价格下跌对公司的影响,从Western Digital到Micron正在减少NAND闪存容量投资,以减少NAND供应并缓解市场对降价的预期。  

 

 64层和96层堆栈闪存有不同的命运

 

今年将是96层3D闪存爆炸的第一年。 在64层堆栈之后,主要制造商在2018年下半年开始大规模生产96层堆叠3D闪存。三星于7月初宣布推出第五代V-NAND闪存(3D NAND闪存之一), 这是第一个支持ToggleDDR4的。  .0接口的传输速度为1.4 Gbps,比64层V-NAND闪存堆栈高40%。 工作电压从1.8V降至1.2V,写入速度也最快,仅为500us,比上一代闪存高30%。  

 

此外,第五代V-NAND闪存在制造过程中进行了优化,制造效率提高了30%,先进技术将每个闪存单元的高度降低了20%,减少了 那个单位。 它们之间的麻烦提高了数据处理的效率。  

 

所有阵营都可以说是锋利的刀,美光,英特尔,东芝,西部数据和SKHynix也宣布了自己的96层堆栈3D NAND闪存解决方案,其中西部数据和东芝的96- 使用层3D闪存。 采用新一代BiCS4技术,QLC型核心容量为1.33Tb,比行业标准高出33%。 东芝开发了一款容量为2.66TB的16核单芯片闪存。  

 

该国的崛起动摇了全球市场

 

 2018年,全球半导体市场达到了1500亿美元,其中NAND Flash超过570亿美元,而中国市场消耗全球32%的产能。 这意味着中国已成为一个主要的全球市场。 为了摆脱对外部采购的长期依赖,国内存储芯片的自主开发已成为当务之急。  

 

 2019年NAND市场还有另一个变数。虽然它仍然是新生的小牛,但最有可能重塑存储芯片市场。 也就是说,中国的长江储存公司将于2019年批量生产.3DNAND闪存,与三星,东芝和美光等国际NAND制造商形成竞争关系。  

 

存储在长江中的32层3D NAND已成功启动并进入小规模生产,但32层堆叠过程没有竞争力。 最近,采用Xtacking架构的长江存储64层NAND样本已被送往相关供应链。 进行测试。  

 

如果进展符合预期,预计2019年第三季度将投入生产,并有机会实现盈利。 长江存储还计划在2020年跳过96层3D NAND。跨越128层3DNAND。 随着大规模生产技术的增加和计划的生产能力30万至45万件,未来将有机会占据全球市场份额的10%左右。  

 

清华紫光集团也在其他地方推进了建设进度,包括南京工厂和成都工厂,这些工厂在年底前进入了启动阶段。 三大生产基地将投资1800亿元人民币生产3D NAND芯片。 另一方面,紫光集团也经常邀请英特尔合作,并希望倾注集团资源,全速开发NANDFlash流程。  

 

中国崛起进入NAND闪存市场只是时间问题。 虽然在2019年仍处于试验阶段,但在逐步增加产量贡献后,在技术改造过程中,仍需要解决大规模生产产量问题。 如果产量不合格产品会影响市场秩序,那么值得观察。  

 

今年的行业变量巨大

 

据报道,NAND Flash将在2019年第一季度下降10%至15%。在这方面,花旗银行的外国分析师保持中性频率 美商股票在最新报告中,但降低了美光在2019年的收入和利润预期,原因是2019年整体内存市场将面临大幅降价。 并

 [H在目前的市场中,由于产能过剩和库存增加,预计2019年NAND闪存和DRAM将会大幅降价。 其中,NAND Flash的价格将下降45%,DRAM的价格将下降30%。 此外,这样的价格范围并没有看到2019年第二季度之前的价格底线,这也表明2019年的价格下降将持续至少两个季度。  

 

在供应方面,每个64层堆栈的3D-NAND Flash产量已经达到成熟,加上新的生产能力,甚至96层堆栈3D-NAND Flash生产时间延迟后, 它仍然无法承受增加的产量。 与可以应用于高速缓存的存储器产品不同,作为各种电子产品的主要存储设备,价格下降的过程通常伴随着出货量的增加。  

 

需求增长无法跟上产量增长的速度,因此整个行业将在2019年全年保持供过于求的局面。

长江存储:首次重磅展示64层存储芯片

行业资讯joker 发表了文章 • 0 个评论 • 612 次浏览 • 2019-09-05 20:54 • 来自相关话题

长江存储:首次重磅展示64层存储芯片!成功串起NAND Flash生产链!










全球半导体“最混乱的时代”,但也可视为是“最佳入局的时间点”长江存储一再释放加速、量产等信息,将带给全球存储世界什么样的震撼?



今天(8月26日),2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。



据介绍,这是旗下长江存储第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片,每片晶圆可以切割出超过1000颗裸芯片。



 















根据紫光集团消息:长江存储今年底量产64层堆栈的3D闪存,2020年则会生产128层堆栈3D闪存。



长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。



长江存储去年量产了32层堆栈的3D闪存,不过产量非常少,属于试验性的,主要用于U盘等低端产品。



在3D闪存上,长江存储自己研发了Xtacking 3D堆栈技术,今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存,明年开始逐步提升产能,预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。



长江存储如果在今年能顺利量产64层3D NAND,将会大大缩短与三星、美光等技术差距。为2020年128层3D闪存市场争夺打下坚实基础。



日本在半导体材料方面制裁韩国,想取得半导体产业主动权。这势必会影响韩国高端存储器的研发。给中国半导体、给中国存储机会。



紫光集团还展示了长江存储第二代64层256Gb 3D NAND,基于创新的Xtacking技术,广泛用于移动设备、服务器等领域。紫光致力于将国产3D NAND国产化,已应用到了SSD、U盘等产品中。



紫光得瑞第一款企业级PCIe NVMe SSD主控芯片,搭配紫光存储3D TLC NAND,广泛应用于数据中心。



 







TAI控制器及SSD



由紫光旗下长江存储耗资10亿美元、1800人团队,历时2年研发成功的国内第一颗3D NAND芯片,已用于紫光国微安全U盘。



 











32层3D NAND及安全U盘



 







存储/控制器芯片



紫光:串起国产NAND Flash生产链



中美贸易战持续开打且短期内恐难落幕,官方决定倾全力打造自有半导体生产链,其中,紫光集团2019年来已将所有资源集中到存储器领域,并串起大陆NAND Flash生产链,旗下长江存储的武汉12寸晶圆厂年底开始量产64层Xtacking技术3D NAND,群联成为NAND控制IC主要供应商,南茂(8150)及其与紫光合资的紫光宏茂负责后段封测业务,终端产品出海口则由大陆记忆体模组大厂江波龙负责。



 







政策!武汉:全力保障国家存储器基地建设,长江存储提速!



日前湖北日报报道称,湖北省委副书记、省长王晓东、武汉市长周先旺等高官赴国家存储器基地调研并现场办公,王晓东强调在武汉建设国家存储器基地,是党中央作出的重大决策部署。



 







武汉市发改委表示,国家存储器基地加速建设,完成投资10.3亿元。



此外,在4月,武汉发布了2019年工作报告目标任务执行情况,其中就包括国家存储器基地建设情况,该文件指出,长江存储器基地一期已实现量产,一季度产能达到5000片/月,办公人数已达3000人。



市场!江波龙:收购全球第3大U盘公司,助力长江存储



存储器发展,离不开下游存储模组产业,深圳公司江波龙收购了美资Lexar雷克沙(全球第3大U盘品牌公司),Lexar一直是存储解决方案的全球领先品牌。除了Lexar,江波龙也在成立FORESEE的自主品牌。



 







2018年底江波龙与紫光集团签订战略合作协议,两方更深一层深化合作。日前江波龙已采用长江存储的3DNAND芯片生产U盘,江波龙已经采用长江存储32层的3D NAND芯片,用于8GB的U盘等产品上。



2019年NAND Flash行业重大变革-长江存储

NandFlashtestssd 发表了文章 • 0 个评论 • 1271 次浏览 • 2019-09-19 10:19 • 来自相关话题

2019年NAND Flash行业重大变革 时间回到第一位 2018年第一季度,三星,东芝,美光等公司的NAND芯片利润率均为40%,但在第一季度之后,NAND价格开始暴跌。 据统计,NAND闪存价格在去年 ...查看全部
2019年NAND Flash行业重大变革



时间回到第一位 2018年第一季度,三星,东芝,美光等公司的NAND芯片利润率均为40%,但在第一季度之后,NAND价格开始暴跌。 据统计,NAND闪存价格在去年上半年至少下跌了50%。 据分析师称,未来每年将减少30%,直至下一轮价格上涨。  

 

 2018年的NAND市场已从上升转为下跌,这一趋势将在今年继续。 然而,2019年闪存市场的变数不仅仅是降价,新技术,新产品和中国制造商将加入。 这个市场发生了很大的变化。  

 

需求不足是不可避免的

 

 NAND闪存在2018年大幅减少的原因是大规模量产64层堆叠3D NAND闪存,实现了32层 / 48层堆栈。  64层堆栈的飞跃将每兆字节NAND闪存的成本降低到8美分,与之前的2D NAND闪存相比,每GB成本降低了21美分,降低成本使得NAND降价成为可能。  

 

 NAND闪存市场在过去几年中经历了多次行业调整。 在供过于求的压力下,市场从2015年到2016年开始下滑。2017年,市场开始一次又一次上涨,但好的情况没有按计划继续。 各大厂商竞相加强投资规模,3DNAND Flash增加了产能支撑,但市场需求持平,这也加速了2018年全球NAND Flash价格。

 

由于技术和产量瓶颈,率 3DNAND 2018年的产量改善并不像预期的那样顺利,这导致了子产品在市场之外的分布,从而干扰了市场价格。 消费者SSD市场是第一个首当其冲的终端应用。  

 

巨人过去一直是一个好债务

 

艰难的日子还没有结束,预计今年NAND闪存的价格将再下跌50%,  NAND和SSD制造商将在前两年价格上涨得到回报。  

 

最近发布财报的西部数据公司已经透露,NAND闪存的价格正在飙升。影响很大,当西部数据收入和利润在本季度下滑时,虽然NAND闪存容量出货量增长了28%,但NAND闪存价格上涨了16%,导致西部数据毛利率大幅下滑,增加 收入不增加利润,而HDD不用说,那部分硬盘业务同比下降810万台,仅剩3410万台。  

 

 NAND闪存的降价也将影响美光,SKHynix,三星,东芝等公司的财务数据,但三星,美光和SKHynix对DRAM内存的价格支持很高, 财务报告数据不会像西部数据那样。 可怕。 为了缓解NAND价格下跌对公司的影响,从Western Digital到Micron正在减少NAND闪存容量投资,以减少NAND供应并缓解市场对降价的预期。  

 

 64层和96层堆栈闪存有不同的命运

 

今年将是96层3D闪存爆炸的第一年。 在64层堆栈之后,主要制造商在2018年下半年开始大规模生产96层堆叠3D闪存。三星于7月初宣布推出第五代V-NAND闪存(3D NAND闪存之一), 这是第一个支持ToggleDDR4的。  .0接口的传输速度为1.4 Gbps,比64层V-NAND闪存堆栈高40%。 工作电压从1.8V降至1.2V,写入速度也最快,仅为500us,比上一代闪存高30%。  

 

此外,第五代V-NAND闪存在制造过程中进行了优化,制造效率提高了30%,先进技术将每个闪存单元的高度降低了20%,减少了 那个单位。 它们之间的麻烦提高了数据处理的效率。  

 

所有阵营都可以说是锋利的刀,美光,英特尔,东芝,西部数据和SKHynix也宣布了自己的96层堆栈3D NAND闪存解决方案,其中西部数据和东芝的96- 使用层3D闪存。 采用新一代BiCS4技术,QLC型核心容量为1.33Tb,比行业标准高出33%。 东芝开发了一款容量为2.66TB的16核单芯片闪存。  

 

该国的崛起动摇了全球市场

 

 2018年,全球半导体市场达到了1500亿美元,其中NAND Flash超过570亿美元,而中国市场消耗全球32%的产能。 这意味着中国已成为一个主要的全球市场。 为了摆脱对外部采购的长期依赖,国内存储芯片的自主开发已成为当务之急。  

 

 2019年NAND市场还有另一个变数。虽然它仍然是新生的小牛,但最有可能重塑存储芯片市场。 也就是说,中国的长江储存公司将于2019年批量生产.3DNAND闪存,与三星,东芝和美光等国际NAND制造商形成竞争关系。  

 

存储在长江中的32层3D NAND已成功启动并进入小规模生产,但32层堆叠过程没有竞争力。 最近,采用Xtacking架构的长江存储64层NAND样本已被送往相关供应链。 进行测试。  

 

如果进展符合预期,预计2019年第三季度将投入生产,并有机会实现盈利。 长江存储还计划在2020年跳过96层3D NAND。跨越128层3DNAND。 随着大规模生产技术的增加和计划的生产能力30万至45万件,未来将有机会占据全球市场份额的10%左右。  

 

清华紫光集团也在其他地方推进了建设进度,包括南京工厂和成都工厂,这些工厂在年底前进入了启动阶段。 三大生产基地将投资1800亿元人民币生产3D NAND芯片。 另一方面,紫光集团也经常邀请英特尔合作,并希望倾注集团资源,全速开发NANDFlash流程。  

 

中国崛起进入NAND闪存市场只是时间问题。 虽然在2019年仍处于试验阶段,但在逐步增加产量贡献后,在技术改造过程中,仍需要解决大规模生产产量问题。 如果产量不合格产品会影响市场秩序,那么值得观察。  

 

今年的行业变量巨大

 

据报道,NAND Flash将在2019年第一季度下降10%至15%。在这方面,花旗银行的外国分析师保持中性频率 美商股票在最新报告中,但降低了美光在2019年的收入和利润预期,原因是2019年整体内存市场将面临大幅降价。 并

 [H在目前的市场中,由于产能过剩和库存增加,预计2019年NAND闪存和DRAM将会大幅降价。 其中,NAND Flash的价格将下降45%,DRAM的价格将下降30%。 此外,这样的价格范围并没有看到2019年第二季度之前的价格底线,这也表明2019年的价格下降将持续至少两个季度。  

 

在供应方面,每个64层堆栈的3D-NAND Flash产量已经达到成熟,加上新的生产能力,甚至96层堆栈3D-NAND Flash生产时间延迟后, 它仍然无法承受增加的产量。 与可以应用于高速缓存的存储器产品不同,作为各种电子产品的主要存储设备,价格下降的过程通常伴随着出货量的增加。  

 

需求增长无法跟上产量增长的速度,因此整个行业将在2019年全年保持供过于求的局面。

长江存储:首次重磅展示64层存储芯片

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长江存储:首次重磅展示64层存储芯片!成功串起NAND Flash生产链!










全球半导体“最混乱的时代”,但也可视为是“最佳入局的时间点”长江存储一再释放加速、量产等信息,将带给全球存储世界什么样的震撼?



今天(8月26日),2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。



据介绍,这是旗下长江存储第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片,每片晶圆可以切割出超过1000颗裸芯片。



 















根据紫光集团消息:长江存储今年底量产64层堆栈的3D闪存,2020年则会生产128层堆栈3D闪存。



长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。



长江存储去年量产了32层堆栈的3D闪存,不过产量非常少,属于试验性的,主要用于U盘等低端产品。



在3D闪存上,长江存储自己研发了Xtacking 3D堆栈技术,今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存,明年开始逐步提升产能,预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。



长江存储如果在今年能顺利量产64层3D NAND,将会大大缩短与三星、美光等技术差距。为2020年128层3D闪存市场争夺打下坚实基础。



日本在半导体材料方面制裁韩国,想取得半导体产业主动权。这势必会影响韩国高端存储器的研发。给中国半导体、给中国存储机会。



紫光集团还展示了长江存储第二代64层256Gb 3D NAND,基于创新的Xtacking技术,广泛用于移动设备、服务器等领域。紫光致力于将国产3D NAND国产化,已应用到了SSD、U盘等产品中。



紫光得瑞第一款企业级PCIe NVMe SSD主控芯片,搭配紫光存储3D TLC NAND,广泛应用于数据中心。



 







TAI控制器及SSD



由紫光旗下长江存储耗资10亿美元、1800人团队,历时2年研发成功的国内第一颗3D NAND芯片,已用于紫光国微安全U盘。



 











32层3D NAND及安全U盘



 







存储/控制器芯片



紫光:串起国产NAND Flash生产链



中美贸易战持续开打且短期内恐难落幕,官方决定倾全力打造自有半导体生产链,其中,紫光集团2019年来已将所有资源集中到存储器领域,并串起大陆NAND Flash生产链,旗下长江存储的武汉12寸晶圆厂年底开始量产64层Xtacking技术3D NAND,群联成为NAND控制IC主要供应商,南茂(8150)及其与紫光合资的紫光宏茂负责后段封测业务,终端产品出海口则由大陆记忆体模组大厂江波龙负责。



 







政策!武汉:全力保障国家存储器基地建设,长江存储提速!



日前湖北日报报道称,湖北省委副书记、省长王晓东、武汉市长周先旺等高官赴国家存储器基地调研并现场办公,王晓东强调在武汉建设国家存储器基地,是党中央作出的重大决策部署。



 







武汉市发改委表示,国家存储器基地加速建设,完成投资10.3亿元。



此外,在4月,武汉发布了2019年工作报告目标任务执行情况,其中就包括国家存储器基地建设情况,该文件指出,长江存储器基地一期已实现量产,一季度产能达到5000片/月,办公人数已达3000人。



市场!江波龙:收购全球第3大U盘公司,助力长江存储



存储器发展,离不开下游存储模组产业,深圳公司江波龙收购了美资Lexar雷克沙(全球第3大U盘品牌公司),Lexar一直是存储解决方案的全球领先品牌。除了Lexar,江波龙也在成立FORESEE的自主品牌。



 







2018年底江波龙与紫光集团签订战略合作协议,两方更深一层深化合作。日前江波龙已采用长江存储的3DNAND芯片生产U盘,江波龙已经采用长江存储32层的3D NAND芯片,用于8GB的U盘等产品上。